Occasion RIBER 49 #9193092 à vendre en France

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ID: 9193092
Taille de la plaquette: 10"
Style Vintage: 2001
MBE System, 10" (10) Ports Recovery module: Hg Temperature range: 0-700°C No cracker Main chamber: (2) CT-10 Cryopumps With LN2 baffles Large ion pump Wafer manipulator RHEED: Gun Screen Transfer / Loadlocks: Transfer chamber with outgas stage (2) Loadlocks with cryopumps Sources: (3) Installed (2) Additional (CdTe, Te, In, and Hg) 2001 vintage.
L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est un type de procédé de dépôt sous vide qui est utilisé pour créer des couches minces avec des couches précises de matériaux. RIBER 49 est un équipement MBE utilisé pour le dépôt d'éléments semi-conducteurs, d'alliages et de composés, tels que l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium et le nitrure de gallium, destinés à être utilisés dans des composants optoélectroniques. 49 utilise une source à cavité fermée qui abrite deux évaporateurs à faisceau d'électrons et des sorties pour trois cellules d'effusion différentes. Les deux sources de faisceau d'électrons sont utilisées pour le dépôt de métaux et d'autres matériaux à haute pression de vapeur, et chacune des trois cellules d'effusion est utilisée pour le dépôt de constituants individuels. Le système comprend également une source d'ions, un moniteur d'épaisseur de cristaux de quartz, un étage de chauffage d'échantillons et un moniteur de gaz résiduel. De plus, le RIBER 49 peut également être relié à un spectromètre pour déterminer la composition du matériau déposé. La figure 49 utilise une unité de faisceau assistée magnétiquement pour diriger les matériaux vers la surface du substrat. Les aimants sont utilisés pour réduire l'étalement du faisceau, permettant à l'utilisateur de contrôler la composition et l'épaisseur du film déposé. Le matériau est chauffé pour l'évaporer, et le substrat est chauffé pour réduire le nombre de défauts du film déposé. Une fois le matériau déposé sur le substrat, l'épaisseur des couches est contrôlée par le moniteur d'épaisseur de quartz. Cet instrument utilise un cristal de quartz pour surveiller les oscillations du substrat sous le faisceau et réguler la quantité de matériau qui est déposée sur le substrat. Le substrat peut également être manipulé à l'aide de l'étage de chauffage de l'échantillon, ce qui permet de basculer, déplacer et incliner à nouveau le substrat dans la chambre pour un dépôt précis du matériau. Une fois les matériaux correctement déposés, le moniteur de gaz résiduaire peut être utilisé pour vérifier le niveau de contamination par des particules étrangères dans la chambre de dépôt. Ceci permet de ne déposer que les couches désirées et d'éliminer les imperfections éventuelles du produit final. RIBER 49 est une machine MBE avancée et précise qui est principalement utilisée pour la fabrication de composants semi-conducteurs ainsi que de dispositifs optoélectroniques avec des couches précises. Il peut être utilisé pour déposer facilement des matériaux métalliques et non métalliques, et la capacité de quantifier la composition des matériaux et l'épaisseur des couches en fait un choix idéal pour produire des pièces optoélectroniques de haute qualité.
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