Occasion RIBER EVA 32 #9197264 à vendre en France

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ID: 9197264
Taille de la plaquette: 2"
MBE System, 2" Group IV MBE Grow germanium and silicon Semiconductor thin films (SiGe) B & Sb as P- & n- type dopant RHEED System with power supply and control​ Residual gas analyzer & control (RGA / Mass spectrometer)​ ​XYZ Precision sample stage / Manipulator​ Sentinel flux motoring system with power supply and control​​ Load-lock chamber (2) 40 CC E-guns (Ge & Si) (3) Effusion cells with controls Sb Boric acid Ge Residual gas analyzer (Quadruple mass spec) RHEED Electronics control Manipulator wafers, 2" Load lock chamber Ion pump plus cryopump.
RIBER EVA 32 est un système avancé d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) utilisé pour la croissance épitaxiale de matériaux inorganiques de haute qualité, y compris III-V, II-VI, et d'oxydes sur des substrats. Il est capable de contrôler atomiquement et superficiellement la structure de croissance du matériau. EVA 32 est équipé de chambres multiples, indépendantes et à la pointe de la technologie, conçues pour offrir le maximum de liberté pour la croissance épitaxiale de diverses hétérostructures et nanostructures. Le système est un ensemble de plusieurs modules à vide ultra-élevé, dont chacun est équipé de chauffages résistifs de haute précision et à basse température. Les modules individuels comprennent la chambre principale, deux cellules d'effusion, deux sources de lumière ultraviolette et des régulateurs de température indépendants. Dans chacun de ces modules, différents paramètres de croissance peuvent être contrôlés pour permettre une croissance précise des nanostructures. La chambre source principale est la chambre primaire qui contient la surface de croissance et les matériaux sources. Les supports de substrat sont couplés thermiquement à la chambre source et chauffés par des chauffages résistifs de haute précision à basse température. La chambre source principale est équipée de capteurs pour mesurer différents paramètres tels que la température, la pression, la composition, la vitesse de croissance, etc.. Les deux cellules d'effusion sont montées dans la chambre source principale et servent à l'évaporation des matériaux. Les cellules sont disposées perpendiculairement à la surface de croissance et peuvent recouvrir toute la surface. Dans le cas de la croissance du MBE, les cellules d'effusion contiennent les matériaux utilisés comme matériaux de base pour le processus d'épitaxie. Les deux sources lumineuses ultra-violettes sont montées dans la chambre principale de la source, perpendiculairement à la surface de croissance et avec un angle d'inclinaison réglable. Ces sources lumineuses peuvent fournir une large gamme d'intensité énergétique afin de manipuler les conditions de croissance. Les régulateurs de température sont utilisés pour réguler la température de croissance du substrat et du matériau à l'intérieur de la chambre source principale. Ces régulateurs sont des chauffages à résistivité électrique qui peuvent être réglés à des températures comprises entre 300 et 800 degrés Celsius. Les chauffages sont finement réglés pour obtenir un contrôle précis de la température et pour fournir les conditions de croissance souhaitées. RIBER EVA 32 est un système MBE dédié qui peut aider à réaliser une fabrication hautement contrôlée d'hétérostructures et de nanostructures. Ses nombreux modules et le contrôle précis des paramètres fournissent la flexibilité ultime dans la production de matériaux de haute qualité.
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