Occasion VARIAN / VEECO GEN II #9190525 à vendre en France

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ID: 9190525
MBE Growth system Combination of IV: Si / Ge / Sn Ports, 2.75" Chamber 1 (III-V): Arsenic valved cracker Indium effusion cell Gallium effusion cell Aluminum effusion cell Ga downward looking source Silicon effusion cell (5 cc) Beryllium effusion cell (5 cc) Chamber 2 (Group IV): Germanium effusion cell Silicon e-beam source Silicon high temperature source Tin effusion cell Arsenic valved cracker Boron dopant source.
L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technique utilisée pour créer des structures de couches minces fiables et de haute qualité. L'équipement VARIAN/VEECO GEN II MBE est un outil de pointe pour la fabrication de dispositifs et de structures semi-conducteurs composés, tels que des cellules solaires multi-jonctions, des lasers en cascade quantique et des composants semi-conducteurs pour des applications optoélectroniques et microélectroniques. Ce système s'appuie sur une chambre à vide pour isoler le substrat des molécules de gaz lors de leur rapprochement. Le substrat est placé sur un élément résistif chauffé électroniquement appelé « cellule » - qui est typiquement en quartz ou en nitrure d'aluminium. Ensuite, les matériaux sources sont chargés dans des sources de faisceaux de particules, où ils sont spécifiquement chauffés à des températures supérieures au point de fusion de ce matériau. Par exemple, une source de gallium nécessiterait une température plus élevée qu'une source d'aluminium. Pour déplacer les particules avec précision, l'unité VEECO GEN II MBE utilise une puissante machine à balayage par faisceau à photomicrocontrôleur en boucle fermée. Cet outil surveille la quantité, l'intensité et la propagation du faisceau de particules à partir du matériau source, puis ajuste avec précision le motif de balayage du faisceau afin d'assurer un dépôt régulier sur le substrat. Le processus de dépôt est encore amélioré par l'utilisation de buses d'injection de gaz de haute précision, ce qui donne à l'actif la capacité de déposer plusieurs couches de matériaux différents sans chevauchement. Le modèle VARIAN GEN II MBE dispose également d'une interface de programmation avancée, permettant à l'utilisateur de concevoir ses propres processus de dépôt, d'ajuster les débits et de contrôler l'équipement à distance. Enfin, le système comprend une unité de régulation de température avancée, capable de maintenir des températures comprises entre 10 ° C et 1000 ° C avec une grande précision et stabilité, permettant à l'utilisateur de contrôler avec précision les propriétés des couches minces et d'obtenir une structure uniforme. Cela fait de la machine GEN II MBE un appareil idéal pour la fabrication de structures en couches minces avancées.
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