Occasion VARIAN / VEECO GEN III #9196890 à vendre en France

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ID: 9196890
MBE System (3) Wafers: 2" Single: 4" Single: 3" Single: 2" / 3 x 2" 1999-2002 vintage.
L'équipement VARIAN/VEECO GEN III d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est l'un des systèmes les plus avancés pour le dépôt de matériaux à couches minces à l'échelle du nanomètre. Le système utilise une combinaison de trois sources de croissance d'épitaxie différentes : deux évaporateurs de faisceau d'électrons de basse énergie et une source de fracturation sous vide ultra-haute. Il est conçu pour fournir des taux de croissance jusqu'à deux ordres de grandeur plus élevés que les systèmes MBE traditionnels. De plus, VEECO GEN III possède un contrôle de température et une précision supérieurs pour chaque source, permettant des taux de croissance plus élevés, une plus grande conformité et la capacité d'affiner le processus de croissance. L'unité est également équipée d'une gamme de capacités de mesure et de surveillance comprenant la réflexion in situ et la réflexion de diffraction électronique haute énergie (RHEED), ainsi que l'analyse intégrée à l'aide d'un micro-Raman, balayage électronique et microscopes de force atomique. En outre, une suite d'outils logiciels permet aux ingénieurs de surveiller et de gérer tous les aspects du processus de croissance. VARIAN GEN III fournit également une variété de substrats et de gaz inertes, permettant aux utilisateurs de créer une large gamme de matériaux, tant en termes de composition que de propriétés. Cela comprend les composés III-V, ainsi que les oxydes, les nitrures et les oxynitrides. De plus, les capacités de régulation de température avancées du GEN III permettent le dépôt parallèle de deux matériaux dans des processus de croissance séquentielle avec des températures différentes pour chaque matériau, assurant ainsi la fabrication de dispositifs à plusieurs niveaux. Dans l'ensemble, la combinaison du processus de croissance MBE et des capacités de mesure et de surveillance avancées de VARIAN/VEECO GEN III machine d'épitaxie à faisceau moléculaire en fait l'un des plus puissants systèmes de croissance de matériaux à couches minces disponibles. Il est capable de produire des matériaux avec une large gamme de propriétés, des couches minces aux dispositifs tridimensionnels composés de matériaux différents.
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