Occasion VG SEMICON / OXFORD V90 #9200463 à vendre en France

VG SEMICON/OXFORD V90 est un équipement d'épitaxie par faisceau moléculaire spécifiquement adapté à la production de circuits intégrés, de composants optoélectroniques et d'autres matériaux nanostructurés complexes. Le système est capable d'obtenir des taux de croissance élevés, une température très basse et un contrôle précis des paramètres de croissance. Il est construit pour résister à de longues périodes de fonctionnement avec des exigences minimales d'entretien. L'unité contient une chambre à vide ultra-haute, une chambre source, une chambre d'échantillonnage et une ligne de poutre. La chambre à vide ultra-haute permet le dépôt de métaux et d'autres matériaux à des pressions de vide extrêmement basses de l'ordre de 10-9 à 10-10 Torr. L'extrémité de la chambre source de la machine est équipée d'un pistolet, ou source, qui pulvérise le matériau déposé puis l'éjecte dans la chambre principale. La chambre d'échantillonnage contient la plaquette de silicium chauffée, qui est placée sur un support en dessous de la ligne de faisceau et est le substrat cible. Un pistolet de surveillance à haute tension est utilisé pour mesurer l'incident du faisceau moléculaire sur le porte-échantillon. La position du support et l'angle du faisceau peuvent alors être ajustés avec précision, assurant une couverture uniforme sur la surface de l'échantillon. Le faisceau est ensuite atténué par une série de chicanes qui optimisent la vitesse de croissance du matériau déposé. L'outil est également capable de créer des structures à haut rapport d'aspect, y compris des vias et diverses autres structures importantes pour la production de circuits avancés et de composants optoélectroniques. Pour ce faire, on utilise trois techniques de croissance différentes : le transfert de couches, l'épitaxie modulée et le dépôt de couches atomiques. Le transfert de couches implique le transfert de couches du substrat de croissance vers le substrat à modeler. Pour ce faire, on applique un champ électrique local qui soulage le matériau du substrat de croissance vers le substrat cible. L'épitaxie modulée garantit que chaque couche est constituée d'atomes individuels, éliminant toute force répulsive qui se produirait normalement entre des atomes du même type. Enfin, la dépposition de la couche atomique implique le dépôt de couches atomiques une par une pour construire des structures complexes. OXFORD V90 remplace les méthodes traditionnelles de croissance du silicium, permettant la production de composants et de structures électroniques plus complexes avec un meilleur contrôle des paramètres tels que le taux de croissance, la température et la composition. En utilisant VG SEMICON V90, les utilisateurs sont également en mesure de diminuer le coût associé à la production de matériaux nanopatternes et de réduire le temps nécessaire à la production de structures compliquées.