Occasion AIXTRON 2400 G1 #9191892 à vendre en France

Le réacteur AIXTRON 2400 G1 d'AIXTRON SE est un équipement de dépôt à semi-conducteur conçu pour la production évolutive. Il s'agit d'un système CVD à basse pression avancé qui offre un contrôle et une flexibilité de processus supérieurs. Ce réacteur offre une large gamme de capacités, y compris le dépôt d'oxyde, de nitrure et de silicium polycristallin, ainsi que l'oxyde thermique et d'autres procédés à base de silicium. Son niveau d'automatisation et ses capacités de configuration en font un choix idéal pour le dépôt de couches minces. 2400 G1 est conçu pour offrir une qualité de procédé uniforme et répétable. Il s'agit d'une unité entièrement automatisée, reliée à une variété de sources de gaz pour permettre une flexibilité complète du processus. La machine est également équipée de diagnostics avancés tels que le profilage de température, la mesure du débit de gaz et le profilage de dépôt pour le contrôle maximal du processus. Le réacteur a une conception modulaire composée de six chambres de réaction horizontales avec trois réacteurs dans chaque chambre. Les parois centrales des chambres réactionnelles sont en acier inoxydable tandis que les parois extérieures sont en céramique. Tous les réacteurs sont reliés à des rails de transport qui leur permettent de se déplacer entre des chambres consécutives. Cette caractéristique assure des vitesses de dépôt uniformes dans l'ensemble de l'outil. AIXTRON 2400 G1 a une plage de température maximale de 90 ° C à 1000 ° C et une pression de traitement de 5 mBarg. Il est équipé d'injecteurs de gaz placés dans diverses positions afin de faciliter une distribution optimale du gaz. En outre, le réacteur permet l'incorporation de gaz multiples et comprend des boîtes à gaz et des lignes d'échappement spécialement conçues à cet effet. Avec une large gamme de caractéristiques, 2400 G1 est un atout fiable et très efficace qui offre un haut niveau de contrôle et de répétabilité. Le modèle est adapté à une large gamme de procédés de dépôt en couches minces et est conçu pour répondre aux dernières exigences de production de semi-conducteurs.