Occasion AIXTRON Crius I #9188566 à vendre en France

AIXTRON Crius I est un réacteur épitaxié avancé, conçu pour le développement et la manutention de dispositifs semi-conducteurs et optoélectroniques. Ce réacteur utilise la technologie phare de dépôt chimique en phase vapeur métallique (MOCVD) AIXTRON, qui est affinée depuis plus de deux décennies. Crius I est un outil monobloc, procédé par lots, conçu pour un haut débit et une évolutivité facile. AIXTRON Crius I est un réacteur vertical multi-tubes avec une vitesse maximale de rotation du tube de 12 000 tr/min et une station de chargement et de déchargement de cassettes de quatorze positions. La chambre de réaction est équipée d'un faisceau à faible vibration (faisceau SLV) de signature AIXTRON avec un biseau de 13 °. On obtient ainsi une finition de surface homogène et fine des plaquettes en cours de traitement, permettant des bords de plaquettes vaisselle nettement plus bas. De plus, le Crius I dispose d'un suscepteur à paroi chaude, capable de fonctionner à des températures allant jusqu'à 1100 ° C avec un contrôle et une précision exceptionnels. AIXTRON Crius I est un système extensible capable d'une large gamme de chimies de procédés et de gaz dopants. Il est en mesure d'accueillir la production à faible et à haut volume, et offre à la fois des configurations autonomes et des configurations de grappes. Le FlexMode permet aux clients de modifier rapidement les paramètres de la chambre du réacteur d'outils entre deux programmes, en apportant des modifications intermédiaires à la recette du procédé sans avoir à effectuer de longues interventions. Crius I utilise un logiciel propriétaire de contrôle de processus (Turbo SoftTune), permettant un fonctionnement simplifié, piloté par menu. Intelligent Adaptive Control (IAC) soulève encore ce problème, avec la détection et la modification active des paramètres conçus pour ajuster les bons paramètres de fonctionnement pour une application donnée. Il peut également être rétro-équipé avec la technologie de four AIXTRON, permettant l'intégration verticale de la croissance cristalline et la fabrication de dispositifs. En résumé, le réacteur épitaxial AIXTRON Crius I est une ressource avancée pour le développement et la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et optoélectroniques. Il offre une technologie de pulvérisation à haut débit, à faible faisceau de vibrations et à paroi chaude, permettant un contrôle complexe pour des processus délicats. Un système avancé de contrôle des processus, une architecture extensible et un mode de fonctionnement flexible en font une ressource fiable et familiale.