Occasion AIXTRON G3 #9202634 à vendre en France

Il semble que cet article a déjà été vendu. Consultez les produits similaires ci-dessous ou contactez-nous et notre équipe expérimentée le trouvera pour vous.

AIXTRON G3
Vendu
Fabricant
AIXTRON
Modèle
G3
ID: 9202634
Style Vintage: 1994
MOCVD System AlGaAs Laser 1994 vintage.
AIXTRON G3 est un réacteur d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) de pointe. Construit par AIXTRON, ce réacteur est l'un des derniers d'une série de systèmes MBE. Le réacteur AIXTRON G 3 est conçu pour faciliter la croissance de haute précision de divers matériaux cristallins, y compris les semi-conducteurs III-V. Le réacteur G3 se compose de deux composants principaux : la chambre de procédé et la vanne d'étranglement. La chambre de procédé abrite le matériau source et est le site où a lieu l'épitaxie du faisceau moléculaire. A l'intérieur de la chambre se trouve une série de chicanes et d'évaporateurs internes qui aident à contrôler les émissions du matériau source. Le papillon régule la quantité de gaz qui est envoyée à la chambre de procédé, et est également le moyen par lequel la pression à l'intérieur de la chambre de procédé est régulée. Le réacteur G 3 est équipé de plusieurs caractéristiques avancées qui le rendent adapté à la croissance des matériaux de haute précision. Ces caractéristiques comprennent un système avancé de comptage des particules qui surveille la qualité du film épitaxial et des contrôles environnementaux qui permettent un contrôle précis de la température et des débits. La conception de la géométrie du transistor permet de minimiser le risque de contamination du produit. En outre, le réacteur AIXTRON G3 peut être personnalisé de plusieurs façons pour répondre aux besoins du client. Cela comprend l'ajout de détecteurs d'extrémité supplémentaires, ainsi que l'intégration de composants supplémentaires et de dispositifs de sécurité. Le réacteur AIXTRON G 3 est également capable de produire des échantillons de haute qualité sur un large éventail de substrats dont le silicium, l'arséniure de gallium, le nitrure de gallium et divers matériaux III-V. En conclusion, le G3 est un réacteur MBE de pointe avec de nombreuses caractéristiques avancées. Il est conçu pour produire des matériaux de haute précision sur une variété de substrats et peut être adapté aux besoins des clients. Cela en fait un choix idéal lorsqu'il s'agit de produire les matériaux cristallins de la plus haute qualité.
Il n'y a pas encore de critiques