Occasion AIXTRON Tricent #9190702 à vendre en France
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Vendu
ID: 9190702
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2008
Atomic layer deposition system, 12"
Frame:
Tricent ALD Process cluster oxide
Gas mixing system
Precurson liquid delivery system
ALD Reactor
Vacuum and cooling systems
(2) Tricent ALD Heat exchangers: 220°C
Automatic wafer transfer system
Tricent ALD double O-ring pump
Options:
Tricent ALD Ozone generator for 2 PMs
Tricent ALD set of precursor tanks for vaporizer for 2 PM's
Automatic wafer transfer system:
Fully automated cassette-to-cassette wafer loading and unloading
Configurations: 25 x 300 mm
(3) FOUP loading ports
Loadlock A: Batch 25 x 300 mm
Loadlock B: Batch 25 x 300 mm
Vacuum handling platform: 4 MESC-type process modules
Wafer handling platform includes:
Front end atmospheric module
Front end atmospheric robot
Vacuum transport chamber and frame
MagnaTran magnetically driven
Fully encapsulated vacuum robot
Transfer arm with high temperature end effector
Wafer alignment module
Tricent ALD O-Ring pump:
PM1/PM2 Tricent ALD Process cluster oxide: (2) Deposition modules
Each PM:
Gas mixing system
Ventilated gas mixing cabinet
Electro-polished 316 SUS tubing
VCR-Connectors all orbital welded
Individual control valves:
Pressure indicator switch
Check valves
Particle filters
Pneumatic valves
Gas line:
Reactive gas line: 03 including Destruct
Purge gas line: Ar
High-Flow / Low-Flow purge configuration
Electronic flow controllers and pneumatic valves for various purge lines
Individual pneumatic valves for reactive gas line
Individual downstream pressure controls with electronic mass flow meters for:
(3) reactive gas line and various purge lines
ALD valve block with high-speed switching
ALD valves for reactive gas and various purge lines
ALD valve block temperature-controlled and adapted to reactor lid
Safety configuration: Normally closed
Precursor liquid delivery system:
(2) Liquid precursor lines
Electronic mass flow controller
Pressure controller
Pneumatic valve for solvent line
Liquid flow meters
3-position liquid medium valves for each precursor line
Individual manual separation valves
Electronic mass flow controller
Pressure controller
Pneumatic valve for solvent line
Optional: precursor and solvent tanks
(1) Mist preparator wand, 1.8 liter nominal volume
Single-Injector Tri-Jet liquid precursor evaporation systems:
(2) Contact-less cylinder evaporators
Individually controlled temperature range: 40 C - 250 C
High precision injectors for the liquid precursor lines
Joint Pre-heated carrier gas line
Temperature controlled: 40 C - 230 C
Spare provision: He purge line
Joint run-vent-purge stack
Temperature controlled: 40°C - 230°C
Separate precursor box with room temperature bubbler
Ventilated enclosure with Nitrogen purge line
Smoke detector and ventilation flow sensor integrated in Precursor Box
Single room temperature bubbler for high vapor pressure precursors with TMA
Control valve with pressure indicator switch
Particle filter
Downstream pressure control with electronic mass flow meter
Dual 2/2 way valve for carrier line
Single joint run line with ALD valve
ALD reactor:
Reactor cabinet
Hot wall aluminum reactor chamber, max 220°C.
Showerhead with separation between reactive gas and metal-organic precursor flows
Reactor walls, reactor lid, and showerhead assembly temperature controlled by heat exchanger with thermal liquid
Thermal liquid
Aluminum nitride substrate heater
Closed-loop temperature controlled resistive heater
Wafer transfer lift pin mechanism with vertically movable substrate heater assembly.
Wafer transfer MESC port with pneumatic slit valves
Vacuum system:
Pressure sensors and pressure controllers
Designed for process pressure: up to 10 mbar
Heated exhaust line up to outlet flange on the process module
Throttle valve and check valves
Cooling system:
Type: Julabo
Digital flow meters, temperature transmitters, and manual separator valves for each cooling branch.
Tricent ALD Heat exchanger
One per module required for system operation
For operation with thermal liquid (Thermal H 250)
Maximum operating temperature 220°C.
2008 vintage.
AIXTRON Tricent est un réacteur à plasma à couplage inductif haute performance (PIC) conçu pour le dépôt de divers matériaux tels que III-V, semi-conducteurs composés, couches diélectriques et métalliques sur des substrats de toutes tailles. Il s'agit d'une source à courant continu à basse pression, fonctionnant à 8-20 mbar avec une fréquence impulsionnelle directe de 15kHz et une capacité de transfert de puissance allant jusqu'à 600 W. Le champ électrique et la répartition uniforme de la chaleur à l'intérieur de la chambre du réacteur sont générés par la technique de résonance électron-cyclotron. Tricent possède une chambre de réaction entièrement fermée, qui offre un espace optimisé pour le dépôt efficace et uniforme des couches désirées sur les substrats. Son générateur RF à double fréquence et son générateur à champ magnétique sont capables de fonctionner dans une large gamme de fréquences et de simuler des conditions de processus précises. Le système est équipé d'un couvercle étanche sous vide, d'une vanne de gaz chaud et d'une connexion électrique flexible, tandis que le porte-substrat est conçu pour supporter et maintenir des substrats de différentes tailles et formes. AIXTRON Tricent est très efficace dans les processus de dépôt de couches, car il est capable d'atteindre des taux de dépôt élevés et une uniformité globale du film. Son support de substrat à température contrôlée assure une répartition uniforme de l'énergie à l'intérieur de la chambre pour garantir une excellente uniformité de processus sur l'ensemble du substrat. La conception interne de Tricent comprend également des fonctionnalités telles que la commutation rapide de gaz, des routines d'entretien simplifiées et des capacités de nettoyage et de refroidissement améliorées, qui offrent une reproductibilité élevée et une stabilité à long terme dans les processus de gravure et de dépôt. En outre, AIXTRON Tricent est conçu pour une intégration facile dans les lignes de production existantes en offrant une solution économique aux exigences d'automatisation et de surveillance. Il est entièrement compatible avec les systèmes AIXTRON de détection de particules et de mesure de gaz. Ce réacteur avancé offre des fonctionnalités fiables et faciles à utiliser pour générer des matériaux avancés, des réductions de taille et une uniformité de processus améliorée.
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