Occasion NOVELLUS CONCEPT One #150904 à vendre en France

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Fabricant
NOVELLUS
Modèle
CONCEPT One
ID: 150904
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1991
CVD System, 8" Process types: Undoped silane-base oxide Silicon nitride (2) Stages Transfer system: One arm robot Wafer on paddle sensor Cooling stage Software version: 4.431 RF Generator: ENI OEM 50, 13.56 MHz ENI PL-2HF, 400 kHz Match network: TRAZAR AMU2B-1 Match box Pressure control: TYLAN MDVHX-100B heated throttle valve with temperature controller TYLAN Throttle valve controller Independent gas cabinet Gas configuration: Mass flow controller: UNIT Gas types: N2, SiH4, C2F6, O2, NH3 Remote power AC box Currently warehoused 1991 vintage.
NOVELLUS CONCEPT One est un réacteur de pointe de dépôt de couches atomiques (ALD) conçu pour la production de couches minces et très homogènes. Le réacteur est une plate-forme permettant la fabrication commerciale d'électronique de pointe. Il dispose d'une chambre à haut débit avec un grand support de substrat. Cela permet la production d'une large gamme de matériaux et dispositifs semi-conducteurs, y compris des dispositifs à mémoire, des élastomères et des capteurs. L'ALD est un procédé avancé de dépôt en couches minces utilisé dans la fabrication de composants électroniques. Le procédé ALD est utilisé pour déposer des couches atomiques de matériau, une à la fois, sur la topographie d'un matériau substrat. Ce niveau de contrôle permet un dépôt de couches minces extrêmement précis et uniforme sur de larges zones. ALD est idéal pour la production de transistors à couches minces, de dispositifs à mémoire, d'émetteurs de lumière et d'actionneurs micro-usinés. NOVELLUS CONCEPT ONE est un réacteur ALD conçu sur mesure. Il peut traiter jusqu'à 100 plaquettes par heure et est capable d'appliquer des formulations de films spécifiques. Il fournit un contrôle cohérent de l'épaisseur de la plaquette à la plaquette, jusqu'à 0,2nm, et mémoire non volatile pour un développement facile du processus. CONCEPT One est composé de quatre composants principaux : la tête du réacteur, la chambre du réacteur, la vanne pilotée par ordinateur et le système de transport. La tête du réacteur maintient la cathode et l'anode qui servent à déposer et à contrôler le flux de courant électrique. La chambre du réacteur est située là où se trouve le substrat et contient le système d'amenée de gaz qui injecte les réactifs dans la chambre. La vanne contrôle le flux de gaz et est surveillée et réglée par l'ordinateur. Enfin, le système de transport déplace les substrats à travers le réacteur pour un contrôle ultra uniforme de la vitesse et de la température. CONCEPT ONE est capable de déposer une variété de matériaux, y compris des métaux, des oxydes, des nitrures, et une vaste gamme de matériaux semi-conducteurs tels que les matériaux photovoltaïques, CIGS, CIS, et d'autres matériaux semi-conducteurs avancés. Cela permet de produire une large gamme de produits électroniques avancés, y compris des capteurs et des dispositifs semi-conducteurs. En conclusion, NOVELLUS CONCEPT One est un réacteur ALD de pointe conçu pour la production en grand volume de films ultra-minces et uniformes. Ses caractéristiques comprennent un haut débit, un contrôle cohérent de l'épaisseur des plaquettes et la capacité de traiter un large éventail de matériaux. Cela a permis la fabrication commerciale d'une large gamme de composants électroniques avancés.
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