Occasion RIBER 32 #9281944 à vendre en France

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ID: 9281944
System, parts machine.
L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technique de dépôt sous vide qui permet un contrôle physique et chimique extrêmement précis de la croissance des couches minces. L'équipement RIBER 32 MBE est un système MBE de pointe multi-sources conçu pour la croissance de composés semi-conducteurs III-V tels que l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium et le nitrure de gallium. L'unité dispose d'une source de plasma RF de grande puissance, d'injecteurs multi-gaz, d'un analyseur XPS à résolution d'angle in situ, d'un miroir AR in situ et d'une chambre MBE à masque quad à pompage différentiel. 32 est construit avec une chambre MBE à masque quad équipée de quatre sources de plasma et huit ports de gaz obturés. Chaque four à quartz dispose d'une machine à flux de gaz indépendante pour un mélange efficace, vous permettant de contrôler à la fois la composition et l'épaisseur du film mince d'un four à l'autre. Ceci permet la croissance de différentes couches de matériau en une seule étape sans avoir à arrêter l'outil. En outre, il dispose d'un analyseur de spectroscopie photoélectron (XPS) à rayons X résolus en angle in situ pour surveiller la composition des matériaux au cours du processus de croissance des couches minces. La source de plasma RF incluse dans l'actif est un générateur de plasma RF à source unique qui peut être utilisé pour ajuster avec précision la densité de plasma élevée. Le miroir in situ AR permet de mesurer les propriétés optiques telles que la réflectance et l'indice de réfraction des films cultivés en temps réel. Le modèle comprend également un nouvel équipement de pompage différentiel qui peut être utilisé pour maintenir un niveau élevé de propreté dans le système tout en permettant un débit de gaz efficace. RIBER 32 comprend également une puissante unité de contrôle de données qui permet à l'utilisateur de surveiller tous les processus de la machine en temps réel. La capacité de contrôler en même temps les vannes d'obturation, les débits, les températures et les sources de gaz multiples facilite le contrôle précis de la croissance du film. L'outil dispose également d'un outil de communication efficace qui permet la surveillance et le contrôle à distance. Au total, 32 fournit un modèle MBE très avancé avec une gamme de fonctionnalités qui permet une croissance précise des films minces. La facilité de fonctionnement combinée à des performances fiables en font un choix idéal pour les applications industrielles.
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