Occasion SVTA / SVT ASSOCIATES 440 S1 MBE #9230364 à vendre en France
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Vendu
ID: 9230364
Taille de la plaquette: 3"-4"
Molecular Beam Epitaxy (MBE) system, 3"-4"
SVT Silicon MBE epitaxial
OMICRON Electronics included
Method: Thin-film deposition of single crystals
Transistor: Cellular phones & WiFi
Load lock:
Chamber with water cooling
Quick hatch with O-ring seal & CF copper gasket option
GP Model 204 gold seal valve (Roughing line)
Sample heater: 200° C
Heater power supply: 1000 W
Dimension heater control loop
Wafer cassette holder, 8"
(8) MO Wafer holders, 8"
Manual gate valve (VAT) (Between loadlock & intermediate chamber)
HPS Series 421 cold cathode gauge & controller (Wide range)
Cryopump UHV, 6"
Gate valve: Cryopump, 4 1/2" (Pneumatic)
(3) Sorption pumps with plastic dawars, heaters & manual valves
PIBA Venturi pump with manual valve
GP Model 275 convectron gauge with digital controller
Vacuum plumbing for roughing
Intermediate chamber:
(2) Transfer rods: Growth chamber & outgas station
Cassette storage elevator (Manual)
Ion pump 400 1/8 with PERKIN ELMER 1500 digital controller
Sublimator & controller (TSP)
Gate valve: Ion pump, 8" (Pneumatic)
GP Model 307 extended (3) gauge controllers with ionization gauge
10" Gate valve (Manual) between intermediate chamber & outgas station
Rough plumbing with GP 204 gold seal valve
(2) Viewports for docking
Outgas station:
Water cooled chamber with expansion port
Viewport with shutter
Stage
Heater 1100° C with TC
Heater power supply: 1000 W
Dimension control loop
Ion gauge
Cryopump, 8" UHV
Gate valve,10" (Pneumatic) for cryopump
Rough plumbing with GP gold seal valve for chamber
Rough plumbing with GP gold seal valve for cryopump
Growth chamber:
Dia chamber, 24" with water cooling
Sample manipulator with Z-motion & 60 RPM rotation
Passivated graphite heater, 4": 1100°C
Heater power supply: 1000 W
(7) Dimension control loops
Ion pump 400 1/8 with PERKIN ELMER 1500 digital controller
Sublimator & controller: Ion pump (TSP)
VAT Valve, 8" (pneumatic): Ion pump
Cryropump, 8" UHV
Cryropump compressor run (3) UHV pumps, 8"
Gate valve, 10" (pneumatic) for Cryropump
GP Model 307 Ion gauge controller & gauge
(2) Thermionics 156 cc single pocket E-gun with pneumatic activated
soft shutter & water shroud
L-H 4x7cc Pocket E-gun with pneumatic activated soft shutter & water shroud
15 kW E-beam power supply with (3) sweeps
(4) Standard 20cc (K-Cells) effusion cells
(2) High temperature 10cc (K-Cells) effusion cells
(4) Power supplies 1000 W for Std K-cells
(2) Power supplies 1600 W for high temperature K-cells
(6) Water cooled effusion cell shrouds with pneumatic activated soft shutters
(10) Loop dimension multi-loop controllers with relay & CPU interface
SVT Shutter controller
(2) Sentinel III flux sensors & X'tal sensor with additional beam splitter
Sentinel III deposition controller
RHEED System with power supply, shutter, screen, lead window, & controller
Option: VIEETECH 30 key / KIMBALL PHYSICS 20 kev
RGA UTI-l00C System with TEKTRONIX 5111A scope & 5A 15N & 5B1 on plugins
Movable ion gauge: Flux control
Master shutter (Pneumatic)
Rough plumbing & gold seal valves: Cryropump
Bakeout heaters, timer, fans & soft blanket
Viewports & shutters required: Docking & E-guns (Reference port schedule)
(2) Implanter port soft shutters
System upgrade chambers, 8" / Manipulator, stages & valves
(6) PBN STD Crucibles
(2) Hi-temp crucibles
CPU 386/20 MHz IBM Compatible with hardware
Water distribution panel
System console
Rough plumbing with GP gold seal valve for main chamber
Gate valve, 10" (Manual) isolate growth chamber from intermediate chamber.
L'équipement SVTA/SVT ASSOCIATES 440 S1 MBE (epitaxie par faisceau moléculaire) est une plate-forme de dépôt avancée pour créer des films complexes et ultra-minces avec un contrôle nanométrique extrêmement précis. La plate-forme offre une flexibilité ultime pour le dépôt en couches minces en utilisant un faisceau hautement focalisé et accordable de sources élémentaires ou composées pour répondre à des applications spécifiques. Ce système d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est basé sur le procédé avancé de pulvérisation magnétron, ce qui en fait un outil de pointe d'épitaxie pour le procédé avancé de dépôt en couches minces. The440 S1 utilise la technologie avancée de pulvérisation magnétron et l'unité de contrôle de source associée pour atteindre la plus haute qualité de film et la dynamique de croissance. La source est conçue et alimentée pour obtenir une grande homogénéité, tandis que la vitesse de croissance peut être modulée en continu avec des gaz inertes ou réactifs afin d'améliorer les propriétés du film. Le MBE permet un contrôle précis de l'épaisseur du film ainsi que des profils d'épaisseur à travers la plaquette, fournissant une plate-forme unique homogène pour le dépôt de couches critiques dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs. Le 440 S1 comprend un ensemble d'accessoires puissants pour l'épitaxie et la caractérisation, tels qu'un microscope optique, la spectroscopie d'épaisseur en temps réel, RHEED (Reflech Electron Energy Loss Spectroscopy), et l'imagerie de réflectance pour évaluer et analyser la structure du film et la morphologie de surface. Il existe également un module de recuit à haute température pour activer les couches afin d'assurer une homogénéité, une cristallinité et une adhérence optimales. En outre, le 440 S1 dispose d'une machine rapide et fiable pour la commutation entre les matériaux, offrant une flexibilité pour la création et l'optimisation de couches multiples pour des applications spécifiques. Le 440 S1 dispose également d'un outil de contrôle des gaz à haut rendement qui améliore la cinétique de réaction et améliore encore l'uniformité. L'actif de débit de gaz sophistiqué, qui est intégré à la source, permet le dépôt d'éléments réactifs, tandis que le modèle d'échappement maintient un niveau d'ultra-basse pression pour assurer une performance optimale de la source. De plus, une interface homme-machine simple et intuitive permet un accès facile aux paramètres et au contrôle des processus. SVTA 440 S1 MBE est avancé dans la structure et le fonctionnement et est conçu pour répondre aux normes les plus élevées dans l'industrie des semi-conducteurs. L'équipement est exceptionnellement fiable et convient pour une production à haut volume dans un large éventail d'applications telles que les cellules solaires, LED, semi-conducteurs, et bien d'autres.
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