Occasion VEECO Gen II #9194612 à vendre en France

VEECO Gen II
ID: 9194612
Taille de la plaquette: 3"
MBE Growth system, 3" AlGaAs Laser InGaAsP Vacuum: Growth chamber (GC) Triode ion pump: 400 l/sec Buffer chamber (BC) Triode ion pump: 200 l/sec (2) TSP Controllers Loadlock chamber (LC) (100) CTI Cryotor cryopumps (2) Vacshorption pumps Ventury pump In situ and calibration tools: RHEED System: 0-10 keV RHEED Oscillation growth rate calibration system Cells: EPI Valved cracker with valved controller Cable Riber three zone P Valved cracker with valve controller Power supply (3) 400g Sumo cells Ga, In, Al (2) Dopont cells Dual electronic equipment rack, 19" (12) Solenson DC power supplies 2704 Dual channel Eurotherm controller Substrate and heated station (2) DC Power supplies Substrate heater Heated station Other tools: Ircon optical pyrometer Growth chamber and beam flux (2) GP Ion gauge controllers Buffer and loadlock chamber RHEED Power supply RGA Power supply unit TEK Scope Riber P valved cracker valve controller Riber P cracker power supply Pyrometer port heated Substrate manipulator controller Loadlock chamber Lamp power and controller AGILENT / HP / HEWLETT-PACKARD / KEYSIGHT Chart record mounted RHEED Oscillation recording Trolley for substrate handling.
L'équipement VARIAN/VEECO GEN II d'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une technologie innovante utilisée pour la recherche et le développement de matériaux semi-conducteurs de haute qualité. Il fournit des niveaux exceptionnels de contrôle, de précision et de précision pour la production de ces appareils afin d'assurer une performance et une fiabilité optimales. Le système comprend le processeur MBE VEECO GEN II pour le dopage des matériaux, le dépôt et la croissance des structures. Le processeur est conçu pour réaliser des environnements à vide ultra-élevé et utiliser une large gamme de configurations de substrat et de sources. L'unité comprend également l'option AE VEECO Long Body Source, qui fournit une puissance élevée et une excellente homogénéité du faisceau moléculaire, permettant des résultats MBE précis et précis. Les composantes principales suivantes sont incluses : 1. Chambres à vide - La chambre principale est conçue pour travailler dans un environnement à vide ultra-élevé, permettant le dépôt et la croissance de couches de matériaux avec une excellente uniformité et atomisation. 2. Sources du substrat - Un certain nombre de sources sont disponibles, selon les matériaux et les normes requis (cistallin/amorphe, etc.). Pour une meilleure précision, des sources de référence et de destination facultatives peuvent être utilisées pour optimiser les niveaux de croissance. 3. Configurations des sources - Les configurations des sources comprennent la source d'ions, la source de faisceau d'électrons, la source réactive et la source embarquée pour tenir compte des processus MBE. 4. Contrôle du procédé - Le contrôle du procédé à débit variable permet des ajustements précis du dépôt ou du taux de croissance du substrat. Un module Autotune en option est disponible pour améliorer le contrôle des processus, ainsi que la productivité et les économies. 5. Alignement des échantillons - La machine d'alignement des échantillons fournit un positionnement précis et reproductible des plaquettes et de leurs couches pour une uniformité et une précision optimales. 6. Surveillance sous vide - L'outil surveille les niveaux de pression, de température et de gaz résiduels à l'aide des cellules hygrométriques et de dépôt in situ, des analyseurs et des jauges. VARIAN GEN II MBE offre une conception conviviale et des contrôles intuitifs pour une configuration et un fonctionnement rapides. Le modèle est également proposé avec différentes configurations, en fonction des besoins spécifiques. En utilisant la dernière technologie MBE, l'équipement est capable d'offrir une précision et une précision optimales pour une qualité et une fiabilité supérieures.
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