Occasion VARIAN / VEECO GEN II #9222084 à vendre en France
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Vendu
ID: 9222084
Taille de la plaquette: 3"
Molecular beam epitaxy system, 3"
Type:
Cell in: 60cc
Dual filament ga cell: 125cc
Cell cable 2-pol, TC
(2) Cryo motor cables
(4) Water pipes
Pistols:
N2
Cracker (With motor)
(2) Trolleys, WH (5"x 3'' 2x 2'')
(2) End piece manipulators
Buffer chamber extension
Materials used: As, Ga, In, Al, Si, Be
Connector vacuums:
LN2
Cables joint
Shutters tangen
Cage distance pieces
Power cable
Doping cell (Si)
Ga cell sumo
Pyrometer
Control unit
Power cable
Doping cell (Neu)
Si-cell heat filament defect
Head mass spectrometers:
Lead through defective
Al-cell thermocouple defective
(2) Windows (Heated)
Control-PC
Cage
Ratchet
Dual filament cell
400g Sumo cell
Dual filament cell
Dopant cell
Mass spectrometer
Control-PC
Cage distance pieces
(4) He-tubes
Power cable
LN2 Phase separator.
VARIAN/VEECO GEN II Molecular Beam Epitaxy Equipment est un outil de pointe conçu pour permettre la fabrication de nanostructures complexes, telles que les points quantiques. Ce système de dépôt utilise un faisceau d'électrons de faible énergie pour créer une couche stable d'atomes sur le substrat cible. L'énergie du faisceau est pré-sélectionnée par une source d'ions intégrée qui est magnétiquement blindée pour assurer un contrôle précis et la répétabilité du faisceau. Le faisceau généré peut varier d'une fraction d'eV à plusieurs eV, ce qui rend cette unité bonne pour le dépôt d'une gamme de matériaux. La machine source unique de VEECO GEN II permet des effets spéciaux de dépôt dynamique, tels qu'une combinaison de flux pulsé et constant de faisceau, de taux de chauffage ou de refroidissement du substrat, ou de taux de dépôt dynamique et de variations de pression. De plus, la combinaison d'un spectromètre de masse en chambre et d'une rétroaction spectroscopique en temps réel permet un contrôle précis de la composition matérielle de la couche cible. VARIAN GEN II dispose également d'un ensemble de mouvement commandé par ordinateur à trois axes qui fournit une précision de sous-microns pour positionner l'échantillon par rapport à la source de dépôt. En contrôlant le mouvement de l'échantillon et le taux de dépôt, les utilisateurs peuvent produire des structures à l'échelle nanométrique avec des caractéristiques de rasoir pointu. L'interface informatique sophistiquée et l'automatisation logicielle de l'outil donnent accès à des régimes de production complexes. Ce contrôle automatisé de la vitesse de dépôt, du flux, du courant et de la température du substrat permet le dépôt de couches uniformes pouvant atteindre des épaisseurs inférieures à un nanomètre. En outre, GEN II contient une large gamme de caractéristiques de sécurité telles qu'une vanne de coupure de sécurité gaz, un moniteur de pression et des alarmes de vide. Cet atout est également équipé d'un modèle d'entrelacement sous vide et d'un panneau LCD qui affiche les données de processus en temps réel. En conclusion, VARIAN/VEECO GEN II Molecular Beam Epitaxy est un équipement de dépôt avancé qui permet un contrôle précis de divers paramètres utilisés dans la production de nanostructures complexes. Ce système offre une gamme de caractéristiques uniques qui lui permettent de produire des couches extrêmement précises avec une précision sub-microscopique.
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