Occasion VARIAN / VEECO GEN II #9222084 à vendre en France

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ID: 9222084
Taille de la plaquette: 3"
Molecular beam epitaxy system, 3" Type: Cell in: 60cc Dual filament ga cell: 125cc Cell cable 2-pol, TC (2) Cryo motor cables (4) Water pipes Pistols: N2 Cracker (With motor) (2) Trolleys, WH (5"x 3'' 2x 2'') (2) End piece manipulators Buffer chamber extension Materials used: As, Ga, In, Al, Si, Be Connector vacuums: LN2 Cables joint Shutters tangen Cage distance pieces Power cable Doping cell (Si) Ga cell sumo Pyrometer Control unit Power cable Doping cell (Neu) Si-cell heat filament defect Head mass spectrometers: Lead through defective Al-cell thermocouple defective (2) Windows (Heated) Control-PC Cage Ratchet Dual filament cell 400g Sumo cell Dual filament cell Dopant cell Mass spectrometer Control-PC Cage distance pieces (4) He-tubes Power cable LN2 Phase separator.
VARIAN/VEECO GEN II Molecular Beam Epitaxy Equipment est un outil de pointe conçu pour permettre la fabrication de nanostructures complexes, telles que les points quantiques. Ce système de dépôt utilise un faisceau d'électrons de faible énergie pour créer une couche stable d'atomes sur le substrat cible. L'énergie du faisceau est pré-sélectionnée par une source d'ions intégrée qui est magnétiquement blindée pour assurer un contrôle précis et la répétabilité du faisceau. Le faisceau généré peut varier d'une fraction d'eV à plusieurs eV, ce qui rend cette unité bonne pour le dépôt d'une gamme de matériaux. La machine source unique de VEECO GEN II permet des effets spéciaux de dépôt dynamique, tels qu'une combinaison de flux pulsé et constant de faisceau, de taux de chauffage ou de refroidissement du substrat, ou de taux de dépôt dynamique et de variations de pression. De plus, la combinaison d'un spectromètre de masse en chambre et d'une rétroaction spectroscopique en temps réel permet un contrôle précis de la composition matérielle de la couche cible. VARIAN GEN II dispose également d'un ensemble de mouvement commandé par ordinateur à trois axes qui fournit une précision de sous-microns pour positionner l'échantillon par rapport à la source de dépôt. En contrôlant le mouvement de l'échantillon et le taux de dépôt, les utilisateurs peuvent produire des structures à l'échelle nanométrique avec des caractéristiques de rasoir pointu. L'interface informatique sophistiquée et l'automatisation logicielle de l'outil donnent accès à des régimes de production complexes. Ce contrôle automatisé de la vitesse de dépôt, du flux, du courant et de la température du substrat permet le dépôt de couches uniformes pouvant atteindre des épaisseurs inférieures à un nanomètre. En outre, GEN II contient une large gamme de caractéristiques de sécurité telles qu'une vanne de coupure de sécurité gaz, un moniteur de pression et des alarmes de vide. Cet atout est également équipé d'un modèle d'entrelacement sous vide et d'un panneau LCD qui affiche les données de processus en temps réel. En conclusion, VARIAN/VEECO GEN II Molecular Beam Epitaxy est un équipement de dépôt avancé qui permet un contrôle précis de divers paramètres utilisés dans la production de nanostructures complexes. Ce système offre une gamme de caractéristiques uniques qui lui permettent de produire des couches extrêmement précises avec une précision sub-microscopique.
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