Occasion MAGNETRON Sputtering #194492 à vendre en France

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ID: 194492
Taille de la plaquette: 4"-6"
Style Vintage: 2010
Sputtering system, 4"-6" In‐line 3‐target system Process variables can be monitored via ZR-RX40 (2) PSICM DC Sputter power supplies ATOVAC GVC2200 Vacuum gauge controller and gauges MKS 600 Series pressure controller NOVA series ST580 Digital temperature KODIVAC 340 Rotary pump Main system: (2) Chambers: Sample chamber Main chamber Chamber size: Main chamber: 3.5"x ~7" Sample chamber: 2.5" x 3.5" Control rack: 2" x 3" Roughing pump: 2" x 2" Sputter chamber: ~7" wide and 1.5" height Carrier slider: 1" Length Al plate Gate valve chamber: 1.5" Length Sputter gun section: (3) Guns Lamp heater Sputter target size: 300 mm x 100 mm Installed target: Mo, Cu-Ga, In Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum Transport: Automatic motor driven Vacuum system: KODIVAC 1600K Rotary pump GENESIS ICP 250L Cryo pump Automatic vacuum / Process control with LED display Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005 Sputter system: Sputter power supply: (2) 2 kW PSTEK DC Power supplies (4) Gas flow controls: SEAHWA KRO-4000 KOFLOC 3665 SEC 7440 Substrate motion control: LED Panel display with speed controller Manuals included 2010 vintage.
MAGNETRON La pulvérisation est une technologie avancée et de pointe utilisée pour déposer des films minces composés de divers matériaux. Il fonctionne en utilisant un champ électrique pour créer des ions positifs à haute énergie d'un plasma dans un matériau cible. Les ions sont accélérés à une vitesse élevée et frappent le matériau cible, ce qui provoque la libération d'atomes du matériau cible de la surface. Ces atomes sont ensuite transférés vers un substrat placé de l'autre côté de la chambre à vide. Ce procédé de transfert permet de déposer un film mince à une épaisseur uniforme avec une excellente douceur et une bonne adhérence sur le substrat. L'avantage de la pulvérisation est que le champ électrique est dirigé dans une direction spécifique et peut éviter que des ions autres que ceux provenant de la cible soient pulvérisés sur le substrat. Ceci a pour effet que le film mince produit est propre et exempt de contamination. Il peut également produire des films de densité beaucoup plus élevée que ce qui peut être réalisé avec d'autres techniques de dépôt. Un autre avantage de cette technologie est qu'elle est très efficace et qu'elle est capable de déposer des films minces avec une très faible consommation d'énergie. Ceci est dû au champ électrique utilisé car il peut être dirigé d'une manière à utiliser la moindre quantité d'énergie pour créer le plasma qui est nécessaire. Enfin, le fait que la pulvérisation MAGNETRON soit un processus physique entraîne moins de contaminants que les dépôts chimiques en phase vapeur. Le processus de pulvérisation est divisé en trois étapes principales. Tout d'abord, un environnement de vide doit être créé dans la chambre de pulvérisation et la cible de pulvérisation est placée à l'intérieur de la chambre. D'autre part, un potentiel électrique négatif est appliqué à la cible de pulvérisation et un générateur de radiofréquence de grande puissance (RF) est utilisé pour induire un plasma à haute température à l'intérieur de la chambre. Enfin, le générateur RF est utilisé pour contrôler la vitesse de dépôt des atomes libérés du matériau cible sur le substrat. La quantité de dépôt nécessaire peut être ajustée en faisant varier la tension de polarisation et la puissance RF. On peut également faire varier l'énergie des ions produits en changeant la tension du pistolet pulvérisateur, ce qui est une caractéristique importante lorsque l'on contrôle l'endroit où les atomes du matériau cible sont déposés. En conclusion, MAGNETRON Sputtering est une technique puissante et polyvalente qui peut être utilisée pour déposer des films minces d'une gamme de matériaux différents avec un très haut degré de précision. C'est un procédé très efficace et économique avec un minimum de déchets et capable de produire une excellente adhérence et des surfaces lisses pour les films minces.
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