Occasion ASM A 412 Doped Poly #9359390 à vendre en France

ASM A 412 Doped Poly est un four de diffusion et un accessoire conçu pour assurer l'épitaxie pré-dopée dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Il est équipé de deux fours à tube en quartz de 6 "réglables en température de 200 à 1500 ° C Le four dispose également d'un contrôle indépendant de la température, d'une rampe de température à un étage, d'une pression de réaction réglable, d'un réchauffeur en silicium polycristallin dopé au bore, d'ensembles d'obturateurs mécaniques et électroniques et d'un équipement d'alimentation. L'A 412 est particulièrement polyvalent dans ses caractéristiques techniques, conçu pour des applications allant du dosage rapide de dopants volatils tels que GFSI, BPSG, arsenic, phosphore, bore, phosphore et antimoine ; au refroidissement de la source de gaz pour une réponse thermique plus rapide ; au dépôt unidirectionnel de CVD et de nitrures. Le chauffage au silicium polycristallin dopé au bore assure un rendement maximal, un transfert de chaleur uniforme et un cyclage thermique rapide. Grâce à l'utilisation d'un système de rampe de température à un étage, la pression de réaction peut être ajustée pour augmenter ou limiter la vaporisation et, par conséquent, limiter la quantité d'échappement de dopant volatil. Ses ensembles d'obturation mécanique et électronique permettent une fermeture complète de la postpression, empêchant tout matériau étranger d'entrer dans la chambre de réaction amont. En outre, l'unité d'alimentation de l'A 412 fournit une alimentation allant de 0 à 100 %, 0 % étant considéré comme éteint et 100 % comme « à forte puissance ». Avec cette conception, vous pouvez facilement ajuster la puissance à la constante universelle, ce qui la rend idéale pour les applications qui nécessitent des températures élevées et une puissance spécifique. En résumé, A 412 Doped Poly est un four de diffusion d'épitaxie doté d'une multitude de caractéristiques destinées à faciliter le dopage rapide des dopants volatils. Sa plage de température réglable, sa rampe de température à un étage, sa pression de réaction réglable, son dispositif de chauffage au silicium polycristallin dopé au bore, sa machine d'alimentation et ses ensembles d'obturateurs mécaniques et électroniques en font la solution parfaite pour le pré-dopage dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.