Occasion CENTROTHERM c.PLASMA AlOx #9409520 à vendre en France

CENTROTHERM c. AlOx de PLASMA est une chaudière de diffusion et des accessoires qui a été développé pour rencontrer les demandes croissantes de processus de production de semi-conducteur composés. C'est un outil performant pour le dépôt de couches d'oxynitrure d'aluminium (AlOxN) et d'autres matériaux semi-conducteurs composés avec une excellente homogénéité et reproductibilité. Sa technologie de source de plasma assure un flux d'ions homogène sur l'ensemble de l'échantillon. CENTROTHERM c. AlOx de PLASMA offre la commande du processus complètement automatisée, en incluant l'adaptation automatique de la pression de vapeur et du flux, en permettant des résultats précis, repeatable. La source RF intégrée est capable de produire du plasma à profil homogène et peu résistant. L'environnement d'azote ultra-basse pression assure que toutes les couches déposées restent propres. CENTROTHERM c. AlOx de PLASMA offre le contrôle de température précis, avec une gamme de 100°C à 1,000°C et peut être utilisé pour une variété de processus en incluant la déposition de vapeur cinétique (KVD), les processus thermaux rapides (RTP) et le fait de recuire thermal rapide (RTA). Il dispose également d'un équipement sous vide avancé, avec des pompes getter, turbo et rotatives et des manomètres, conçu pour évacuer rapidement et de manière fiable la chambre. CENTROTHERM entier c. Le système d'AlOx de PLASMA est composé d'une chambre de réaction, une source de plasma, un générateur de RF, un thermocouple indépendant PT 100, une unité à vide et une nourriture du gaz optionnelle. La chambre de réaction est conçue pour la croissance de matériaux semi-conducteurs composés et est construite à partir d'acier inoxydable AISI pour la résistance à la corrosion. La ventilation et le refroidissement sont assurés par un ventilateur haute pression, des chauffages endothermiques et exothermiques et une circulation d'échange de chaleur. La machine de base comprend également un élément de chauffage résistif intégré, permettant un chauffage régulier et uniforme des échantillons. Différents supports de plaquettes peuvent être utilisés en conjonction avec la chambre de réactibilité pour supporter différentes géométries d'échantillons. CENTROTHERM c. AlOx de PLASMA peut être contrôlé à distance via une interface d'utilisateur graphique facile à utiliser, par laquelle tous les pas de processus nécessaires peuvent être exécutés. Il peut également être intégré dans la plupart des lignes de production de semi-conducteurs et relié à des systèmes de surveillance. En général, CENTROTHERM c. AlOx de PLASMA est un outil puissant et fiable pour accomplir la commande du processus serrée dans la production de semi-conducteurs composés. Avec sa source RF intégrée, son contrôle précis de la température et d'autres fonctionnalités avancées, il offre une solution idéale pour produire des couches d'oxynitrure métallique de haute qualité et reproductibles.