Occasion HITACHI KOKUSAI Quixace LV #9293900 à vendre en France

HITACHI KOKUSAI Quixace LV
ID: 9293900
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2006
Furnace, 12" Process: Boron-Doped Poly 2006 vintage.
Le four de diffusion HITACHI KOKUSAI Quixace LV et ses accessoires sont conçus pour le traitement de haute qualité des semi-conducteurs et autres dispositifs. Cet équipement est équipé d'une technologie de pointe à haute température, assurant une uniformité de température répétable sur l'ensemble de la plaquette. Il utilise deux couches de fours intégrés pour protéger le substrat des fluctuations de température extérieures et contrôler les gradients thermiques. La température supérieure du four est de 1400 ° C, avec une répartition de température supérieure à ± 7 ° C Il dispose également de prévisions thermiques avancées pour améliorer la précision et réduire le temps de processus. Le système Quixace LV utilise une seule unité d'isolation en graphite aluminisé qui aide à maintenir une uniformité de température supérieure à des températures plus élevées. Il fournit également une solide isolation pour éviter la perte de chaleur, ce qui aide à conserver l'énergie dans le processus. Cette machine est entièrement automatisée et intégrée à la plate-forme de développement et d'exécution de recette AmpleX™ pour une efficacité optimale. HITACHI KOKUSAI Quixace LV dispose également de capacités de contrôle cyclique avancées. Cela permet un contrôle précis des températures et des processus de diffusion dépendant du temps avec une excursion minimale. Le four est également soutenu par une variété d'accessoires, y compris des porte-bulles sans quartz, un élévateur sans quartz et un outil de chauffage à résistance delta. Ces accessoires améliorent encore la performance de l'actif pour fournir des résultats supérieurs. Le modèle Quixace LV est conçu pour un maximum de huit fours et comprend un large éventail de caractéristiques de sécurité avancées. Il est équipé d'échappements de plus grande capacité, de vannes d'arrêt d'urgence, d'un équipement d'interception à bas niveau et d'une fonction de protection contre la surchauffe. De plus, il est équipé d'un dispositif de chauffage au piège à particules, d'une unité de prétraitement du gaz et d'un module de traitement de Wafer en céramique qui travaillent ensemble pour un fonctionnement efficace. HITACHI KOKUSAI Quixace LV peut être utilisé avec divers substrats, dont le silicium, les composés à base de silicium, les oxydes de silicium et d'autres matériaux. Ce système est idéal pour la fabrication de semi-conducteurs, car il offre des performances supérieures, des caractéristiques de sécurité améliorées, et une technologie de procédé avancée dans une plate-forme fiable.
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