Occasion KOKUSAI Quixace II #9355289 à vendre en France

KOKUSAI Quixace II
ID: 9355289
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2007
Vertical LPCVD furnace, 12" Boron doped poly 2007 vintage.
KOKUSAI Quixace II est un équipement de dépôt en couches minces d'oxyde cristallin de pointe. Il s'agit d'un four de diffusion avec une gamme d'accessoires conçus pour faciliter le dépôt et la gravure de couches minces d'oxyde cristallin sur une variété de substrats à contrôle serré. Le système est équipé d'une unité de positionnement électronique précise, d'une source de diffusion, d'un outil de photolithographie et d'un outil de pulvérisation. La machine électronique de positionnement permet à l'utilisateur de repositionner le support de substrat et la source de plasma à couplage inductif (ICP) précisément dans une petite fenêtre des dimensions totales de la chambre. Cela permet de contrôler avec précision le taux de croissance des films, le dopage et la propreté des surfaces, tout en minimisant les risques de contamination. La source de diffusion fournit un profil de température uniforme et de l'oxygène de haute pureté, permettant un dépôt de film fiable et uniforme. L'outil de photolithographie permet de réaliser des gravures précises de films sur le substrat, et l'outil de pulvérisation permet des gravures plus profondes afin de créer des structures très détaillées. L'interface utilisateur de KOKUSAI QUIXACE-II est simple et intuitive, permettant un montage et un dépôt rapides. L'affichage graphique convivial permet de sélectionner facilement les paramètres de processus et les changements. Le logiciel permet de sélectionner différents dépôts par couche tels que le dopage à l'azote, le contrôle d'épaisseur de couche, etc. Ceux-ci permettent un excellent contrôle des prélèvements et dépôts précis souhaités. En outre, Quixace II est livré avec une gamme de fonctions de sécurité automatique avancées. Il est équipé d'un outil d'avertissement pour alerter l'utilisateur au premier signe de tout danger. En outre, il est conçu de manière à ce que l'utilisateur puisse contrôler manuellement la puissance de la source du PIC lorsque le dépôt est en cours. Cela réduit les risques associés à un mauvais échange accidentel de sources du PCI en raison d'un dysfonctionnement. En raison de ses caractéristiques, QUIXACE-II est un outil précieux pour la recherche et le développement de dépôts en couches minces. Ses caractéristiques avancées et ses systèmes de sécurité permettent un contrôle précis du processus de dépôt, perfectionnant le développement de couches minces d'oxyde cristallin de pointe.
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