Occasion TEL / TOKYO ELECTRON A303i #293667428 à vendre en France
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ID: 293667428
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2004
Vertical diffusion furnace, 12"
LTO Poly
Process: DIFF
Gasses: SIH4, SI2H6, 1% PH3/N2, LTO520, CLF3
(2) Load ports
Loader arm
Transfer arm
FUJIKIN Gas box
Does not include Hard Disk Drive (HDD)
Missing parts:
Part number / Description:
Q400-183245 / VAC Line 1
Q400-161162 / VAC Line 2
Q230-021126 / Turn table
Q400-252325 / Flange
Q310-260595 / Outer guide ring
Q460-006564 / Support in ring
(3) Q320-082547 / MFC 16 Board
(4) Q320-060982 / DIO-I/F Board
Q320-083478 / DIO-ILK Board
Q320-072066 / GSR03 Board
Q320-162843 / MC-31255 Board
Q230-133460 / Wafer transfer
Q320-139834 / Board-control
Q400-236002 / Sol valve
Q310-230827 / Fork 1
Q310-230826 / Fork 2
Q310-125642 / Fork 3
Q310-230825 / Fork 4
Q310-230824 / Fork 5
Operating system: Linux
Power supply: 208 V
2004 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON A303i four de diffusion est un équipement de diffusion thermique entièrement automatisé avec des accessoires intégrés. Il est conçu pour fournir la plus haute qualité et des rendements dans les processus de production de semi-conducteurs. TEL A303i comprend une puissante chambre de dépôt offrant un processus de diffusion thermique efficace et fiable. Il utilise le traitement thermique rapide (RTP) pour chauffer rapidement le gaz du processus de diffusion pour augmenter au-dessus d'une température prédéterminée, offrant un processus de diffusion thermique uniforme et hautement répétable. La vitesse de dégazage est également réglable, permettant des concentrations de dopage précises et un contrôle précis du processus de diffusion. Le système comprend des obturateurs automatiques pour l'apport d'azote et de gaz de procédé, ainsi qu'une procédure de dégazage in situ et de refroidissement. L'ensemble du processus est surveillé en permanence par une chambre de contrôle informatique, assurant des opérations sûres et sûres. TOKYO ELECTRON A 303 I dispose également d'une chambre de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) intégrée. La chambre CVD est constituée d'une unité d'induction pour l'introduction de sources de silicium et de germanium dans la zone de dépôt. Il comporte également de multiples sources de dépôt pour assurer un dépôt uniforme sur de larges zones, ainsi que des profils de dopage uniformes de la source à la destination. Les champs magnétiques induits assurent une uniformité et permettent un contrôle précis des paramètres de dépôt pour une performance optimale. A303i est également équipé d'une plate-forme de métrologie pour la caractérisation interne des processus non destructifs. Il comprend des caractéristiques de bord telles qu'un capteur de pression, un panneau de gaz, un panneau de température et une caméra vidéo numérique, ainsi qu'une plaque d'inspection pour l'analyse en chambre. Cela permet de mesurer et d'analyser avec précision les paramètres du substrat et les étapes du processus. La machine TEL/TOKYO ELECTRON A 303 I offre également une variété d'accessoires et d'options de chargement d'échantillons. Il peut être configuré pour accepter des plaquettes de 100mm à 300mm, ainsi que des panneaux plats de 200mm à 400mm. Cette configuration permet une flexibilité maximale pour un large éventail d'exigences et d'applications de production. Un 303 I est une solution idéale pour une production à haut volume et prototypage, offrant un outil efficace et fiable pour une diffusion thermique efficace. Avec ses caractéristiques et accessoires intégrés, TEL A 303 I est la solution parfaite pour les procédés de production de semi-conducteurs.
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