Occasion E&R DICIII-CUC-I3d #293827973 à vendre en France

E&R DICIII-CUC-I3d est un équipement de pointe conçu pour les procédés avancés de fabrication de semi-conducteurs. Cet équipement innovant est conçu pour répondre aux exigences strictes de l'industrie pour la gravure et le nettoyage précis des plaquettes semi-conductrices dans des environnements de production à haut volume. DICIII-CUC-I3d combine des techniques avancées de gravure et de cendrage du plasma pour fournir un contrôle supérieur des procédés, une uniformité et une répétabilité, essentielles pour obtenir des performances et un rendement élevés dans la fabrication des semi-conducteurs. Au cœur du système E&R DICIII-CUC-I3d se trouve une chambre de réacteur à plasma sophistiquée qui permet de réaliser une variété de procédés de gravure et de nettoyage sur des plaquettes de silicium. La chambre est équipée de multiples entrées de gaz pour introduire une gamme de gaz de procédé, tels que l'oxygène, le fluor et d'autres gaz réactifs, essentiels pour graver et aspirer différents types de couches de matériaux sur les plaquettes. Les gaz de procédé sont contrôlés avec précision à l'aide de régulateurs de débit massique avancés pour assurer la chimie et les conditions de procédé souhaitées. Les processus de gravure et de cendrage en DICIII-CUC-I3d sont pilotés par une source de plasma à haute densité qui génère des espèces réactives capables de rompre des liaisons chimiques à la surface de la plaquette. La source de plasma est alimentée par un générateur RF haute fréquence qui excite les gaz du processus pour créer un plasma à haute densité d'électrons et d'énergie. Ce plasma énergétique interagit avec la surface de la plaquette, provoquant l'élimination du matériau par des réactions chimiques et des pulvérisations physiques. Les paramètres plasmatiques, tels que le niveau de puissance, les débits de gaz et la pression, peuvent être précisément contrôlés pour adapter les processus de gravure et de cueillette à des empilements de matériaux et à des structures de dispositifs spécifiques. Un des traits clés d'unité E&R DICIII-CUC-I3d est sa capacité de détection de point final avancée, cruciale pour garantir le contrôle précis de processus d'ashing et de la gravure à l'eau forte. La détection du point final repose sur la surveillance de l'émission optique ou d'autres signaux provenant du plasma pour déterminer quand une couche spécifique a été complètement gravée ou cendrée. La machine est équipée de détecteurs sensibles et d'algorithmes de traitement du signal qui permettent une surveillance en temps réel du processus et une détermination précise du point d'effet, ce qui permet d'obtenir des résultats cohérents et reproductibles d'une plaquette à l'autre. En plus des capacités de gravure et d'ashing, DICIII-CUC-I3d outil offre également un contrôle avancé de la température des procédés pour optimiser les performances des dispositifs semi-conducteurs. L'actif est équipé d'un module de régulation de température qui permet de contrôler avec précision la température de la plaquette lors du traitement. Le maintien de la plaquette à la température désirée est essentiel pour contrôler la sélectivité de la gravure, minimiser les dommages aux structures sensibles du dispositif et atteindre les vitesses d'élimination souhaitées. Dans l'ensemble, le modèle E&R DICIII-CUC-I3d etcher/asher représente une solution de pointe pour les exigences exigeantes de la fabrication de semi-conducteurs. Ses capacités avancées de traitement du plasma, son contrôle précis des processus et son fonctionnement polyvalent le rendent idéal pour un large éventail d'applications, de la logique avancée et des dispositifs de mémoire aux composants haute fréquence RF. Avec ses performances et sa fiabilité supérieures, l'équipement DICIII-CUC-I3d est un catalyseur clé pour le développement et la production de technologies semi-conductrices de nouvelle génération.