Occasion HITACHI (2) Chambers for MU 712E #293738135 à vendre en France

HITACHI (2) Chambers for MU 712E est un équipement de graveur/asher de pointe conçu pour répondre aux besoins de traitement avancés des fabricants de semi-conducteurs. Ce système avancé intègre deux chambres de processus au sein d'une plate-forme unique, permettant des capacités de traitement flexibles et efficaces des plaquettes. HITACHI (2) Chambres pour MU 712E est équipé d'une gamme de fonctionnalités sophistiquées qui garantissent des processus de gravure et d'ashing précis et fiables pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute performance. La première chambre de HITACHI (2) Chambres pour MU 712E est dédiée au processus de gravure, tandis que la seconde chambre est conçue pour les applications ashing. Cette configuration à double chambre permet un traitement séquentiel des plaquettes sans transfert manuel entre différents systèmes, rationalisant les flux de production et améliorant l'efficacité globale. Les deux chambres sont équipées de systèmes avancés de distribution de gaz, de régulateurs de température et de capacités de production de plasma pour assurer des résultats de traitement uniformes sur plusieurs plaquettes. La chambre de gravure de HITACHI (2) Chambers for MU 712E dispose d'une unité d'injection de gaz de haute précision qui permet un contrôle précis des paramètres du processus de gravure. Cette chambre est équipée d'une source de plasma RF de forte puissance qui génère une concentration plasma uniforme pour la gravure très sélective de divers matériaux, dont le silicium, l'oxyde de silicium et les couches métalliques. La chambre est également équipée de capacités de détection d'endpoint pour assurer une surveillance et un contrôle précis du processus. D'autre part, la chambre de cueillette des chambres HITACHI (2) pour MU 712E est spécifiquement conçue pour éliminer les résidus organiques et inorganiques des surfaces des plaquettes après le processus de gravure. Cette chambre dispose d'un distributeur de gaz dédié qui permet l'introduction précise de gaz aspirants tels que l'oxygène et les composés à base de fluor. La chambre est équipée d'une source de plasma à haute température qui décompose efficacement les composés organiques et les résidus de cendres, laissant derrière elle des surfaces de plaquettes propres et sans résidus. HITACHI (2) Chambers for MU 712E est exploité grâce à une interface intuitive et conviviale qui permet aux opérateurs de surveiller et de contrôler en temps réel les processus de gravure et de cueillette. L'outil est équipé d'un logiciel avancé de gestion des recettes de processus qui permet la création et l'optimisation de recettes de processus personnalisées pour des applications spécifiques de semi-conducteurs. Les opérateurs peuvent facilement ajuster les paramètres de processus tels que les débits de gaz, les niveaux de puissance et les pressions de la chambre pour obtenir les résultats de traitement souhaités. En plus de ses capacités de traitement avancées, HITACHI (2) Chambers for MU 712E est conçu avec un accent sur la sécurité et la fiabilité. L'actif est équipé de dispositifs de sécurité automatisés et de dispositifs d'arrêt d'urgence pour protéger les opérateurs et prévenir les accidents potentiels pendant l'exploitation. Le modèle présente également une conception et une construction robustes, garantissant une fiabilité à long terme et un temps d'arrêt minimal pour les installations de fabrication de semi-conducteurs. Dans l'ensemble, HITACHI (2) Chambers for MU 712E est un équipement de pointe de graveur/asher qui offre des performances, une flexibilité et une fiabilité inégalées pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à obtenir des résultats de traitement de haute qualité pour leurs dispositifs semi-conducteurs avancés. Sa configuration à double chambre, ses fonctions avancées de contrôle des processus et son interface conviviale en font un outil polyvalent et indispensable pour les installations modernes de fabrication de semi-conducteurs.