Occasion HITACHI HS-9050 #293778113 à vendre en France
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ID: 293778113
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2019
Asher, 12"
7 Chamber tool
(2) Cooling chambers
(5) Ashing units
Integrated transfer module
No Hard Disc Drive (HDD)
Capacitance manometer: (772B11TCD2FA) DG1
RF Power supply: (AXG-5000 III- 27M- KE)
Multi wavelength: EPD 0.1s
Mini-Environment Wafer Loading Module (EFEM)
MFC Ashing unit
MFC N2 Max flow 20 L/min (SEC- Z522MGXN)
MFC O2 Max flow 20 L/min (SEC- Z522MGXN)
MFC Ar Max flow 20 L/min (SEC- Z522MGXN)
MFC H2 Max flow 5 L/min (SEC- Z512MGX)
MFC N2 Max flow 20 L/min (SEC- Z522MGXN)
MFC CF4 Max flow 1 L/min (SEC- Z512MGX)
MFC CO2 Max flow 0.4 L/min (SEC- Z512MGX)
MFC He Max flow 20 L/min (SEC- Z522MGXN)
MFC Without gasline / Without MFC
MFC Without gasline / Without MFC
MFC Without gasline / Without MFC
Process modules
(2) Cooling units
2019 vintage.
HITACHI HS-9050 est un équipement de graveur/asher de pointe conçu pour répondre aux exigences précises des procédés de fabrication de semi-conducteurs et de microélectroniques. Cet équipement de pointe combine des technologies innovantes et une construction robuste pour offrir des performances et une fiabilité exceptionnelles dans les applications critiques de traitement des plaquettes. Au cœur de système HS-9050 est son état de la chambre de traitement de plasma d'art, qui est manigancée pour fournir l'uniforme et contrôlée etching/ashing de semi-conducteur substrates. La chambre est équipée de systèmes avancés de distribution de gaz, de sources d'énergie RF, et de mécanismes de contrôle de la température pour assurer un contrôle précis du processus et la répétabilité. Une des caractéristiques clés de HITACHI HS-9050 est sa capacité de traitement à grande vitesse, qui permet une gravure/cueillette rapide et efficace des plaquettes semi-conductrices. Cet objectif est atteint grâce à l'utilisation de sources de plasma avancées et à l'optimisation des paramètres du procédé, ce qui permet de réduire le débit et les temps de cycle dans la fabrication des plaquettes. HS-9050 offre également une gamme d'options de processus et de personnalisations pour répondre aux exigences spécifiques des différentes applications de semi-conducteurs. L'unité supporte une variété de chimies de gaz, de plages de pression et de réglages de température, ce qui la rend polyvalente et adaptable à un large éventail de conditions de processus. En plus de ses capacités de traitement avancées, HITACHI HS-9050 est construit pour la fiabilité et la facilité d'exploitation. La machine est équipée d'interfaces utilisateur intuitives et d'outils de diagnostic avancés pour faciliter la configuration, la surveillance et le dépannage des processus. Cela garantit un temps d'arrêt minimal et une productivité maximale dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs. En outre, HS-9050 est conçu pour répondre à des normes strictes en matière de sécurité et d'environnement dans les installations de traitement des semi-conducteurs. L'outil comprend des dispositifs de sécurité robustes, des systèmes de réduction des gaz et des options de gestion des déchets pour assurer un environnement de travail sûr et le respect des règlements de l'industrie. HITACHI HS-9050 est également évolutif et modulaire, permettant une intégration facile dans les lignes de fabrication existantes et l'expansion future des capacités de traitement. Cette flexibilité en fait un choix idéal pour les fabricants de semi-conducteurs qui cherchent à améliorer leurs capacités de gravure/ashing tout en maintenant la compatibilité avec les équipements et les processus existants. Dans l'ensemble, HS-9050 est un atout de pointe de graveur/asher qui offre des capacités de traitement avancées, la fiabilité, et la facilité de fonctionnement pour les applications de fabrication de semi-conducteurs et de microélectronique. Avec son design innovant, ses capacités de traitement à grande vitesse et ses caractéristiques de sécurité complètes, HITACHI HS-9050 établit une nouvelle norme pour la gravure/cueillette de précision dans l'industrie des semi-conducteurs.
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