Occasion HITACHI M 712 #9242176 à vendre en France
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ID: 9242176
Taille de la plaquette: 8"
Etcher, 8"
(3) Cassettes / FOUP Positions
SECS II Interface: HSMS
(2) EDWARDS iQDP80 Loadlock pumps
(2) EDWARDS iQDP80 Chamber pumps
(2) SMC INR-497-001 Chillers
2-Channels cooling
Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 50/60 Hz
Mainframe:
Robot
P/N: CR-712V
HITACHI FOUP Loader
Chamber:
ESC Type: Bipolar
Endpoint type: PMT/ OES
SHIMAZU EC TMP
3203LMC-K1 EC TMP Controller
DAIHEN ES7-IIA EC Source generator
PEARL CF-500-400K EC Bias generator
Gas configuration:
Line / EC1 / EC2
1 / Ar 500 / Ar 500
2 / C12 300 / C12 300
3 / SF6 200 / SF6 200
4 / HBr 200 / HBr 200
5 / CF4 150 / CF4 150
6 / CHF 3200 / CHF3 200
7 / O2 30 / O2 30
8 / CHF3 50 / CHF3 50
9 / SF6 50 / SF6 50
10 / C12 30 / C12 30
2006 vintage.
HITACHI M 712 est un graveur/cendrier conçu pour la fabrication de dispositifs microélectroniques. Il s'agit d'une technologie avancée de gravure et de cendrage (gravure sèche) qui peut être utilisée pour la gravure de tout matériau, y compris les métaux, les non-métaux, les oxydes et les polymères. L'équipement est un procédé combiné de gravure et de cueillette à base de plasma, et est équipé d'une gravure chimique sèche à basse température (LTCDE) et d'une chambre de cueillette dans laquelle des éléments vaporisés réagissent avec le substrat. Le système est capable de traiter une variété de substrats dont le verre, le quartz et le polyimide. Il contient également un générateur de forte puissance, une unité de pompage turbo-moléculaire et une chambre de gravure chimique sèche à basse température. Le procédé de gravure et de cueillette M 712 est un procédé en deux étapes dans lequel les conditions de gravure et de cueillette sont contrôlées séparément. Lors de la gravure, un flux de plasma d'argon à haute température est appliqué sur le substrat pour graver la surface du substrat. Le processus de cueillette suit le processus de gravure et le plasma est remplacé par un agent de cueillette d'hydrogène neutre. La température de l'agent de cueillette est réglable pour assurer des résultats de gravure et de cueillette optimaux. La machine comprend également un contrôleur avec un terminal distant pour peaufiner les paramètres pour les résultats de gravure et de cueillette désirés. HITACHI M 712 a une profondeur de gravure maximale de 5000 nanomètres (5 microns), une profondeur de gravure minimale de 500 nanomètres (0,5 microns) et une vitesse de gravure maximale de 1 micron/minute, permettant une gravure et un cendrage précis. L'outil est également capable d'un débit maximum de 200 plaquettes en 45 minutes. En outre, l'actif comprend des logiciels avancés de contrôle des processus pour assurer l'exactitude et la répétabilité. En plus de la gravure et du cendrage, M 712 offre également la possibilité d'utiliser des modules complémentaires tels qu'un modèle de dépôt de film d'oxyde thermique, une bande de résiste, un arrêt de gravure et un procédé de nettoyage du dos. L'équipement a également la capacité de graver simultanément les deux côtés des substrats. Ces modules complémentaires offrent une répétabilité et une flexibilité de processus élevées. Dans l'ensemble, HITACHI M7 12 est un système avancé de gravure et d'ashing conçu pour la fabrication de dispositifs microélectroniques. Son logiciel avancé de contrôle des processus et ses modules complémentaires permettent un traitement précis et répétable de divers substrats. De plus, son procédé de gravure et de cendrage à basse température permet un meilleur contrôle de la profondeur, de la vitesse et de la mise en place, offrant une solution de gravure et de cendrage polyvalente et efficace.
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