Occasion LAM RESEARCH 490 #293616826 à vendre en France

LAM RESEARCH 490
Fabricant
LAM RESEARCH
Modèle
490
ID: 293616826
Poly auto etchers.
LAM RESEARCH 490 est un graveur/asher avancé utilisé dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Le graveur/asher est conçu pour la gravure à haut rapport d'aspect et se compose d'une chambre de processus multi-zone, qui fait partie d'une architecture d'outils de cluster. La chambre de procédé multi-zones comporte des parois en quartz pour faciliter l'uniformité de la zone sur l'ensemble du substrat. La première zone de 490 est la zone de transfert de plaquettes qui utilise un robot pour transférer les plaquettes du poste de charge dans la chambre. La plaquette est ensuite agitée dans un mélange doux, mais cohérent, de billes de polymère et de graisseur, pour assurer une vitesse de gravure uniforme. La deuxième zone du graveur-asher est la zone plasma où un plasma inductif couplé (ICP) est utilisé pour augmenter la vitesse de gravure et l'uniformité du procédé. L'ICP dispose d'un équipement avancé de contrôle de l'arc pour assurer un contrôle précis du plasma. La troisième zone de la chambre abrite un système de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) qui est utilisé pour effectuer une gravure sélective du dioxyde de silicium. La quatrième zone est la zone de refroidissement et d'aération qui refroidit les parois et les substrats après la fin du processus de gravure. La cinquième zone de la chambre est la zone d'échappement qui épuise les vapeurs d'attaque et les autres gaz produits lors de la gravure. LAM RESEARCH 490 etcher/asher est capable de réaliser des ouvertures à haut rapport d'aspect avec gravure uniforme sur le substrat. Son unité avancée de détection d'arc assure un contrôle précis du plasma, tandis que la machine CVD offre une plus grande sélectivité de gravure et une plus grande uniformité de processus. De plus, la zone de refroidissement et d'aération contribue à réduire la distorsion du substrat et à maintenir une vitesse de gravure constante sur plusieurs substrats.
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