Occasion LAM RESEARCH / DRYTEK MS-6 #144520 à vendre en France

LAM RESEARCH/DRYTEK MS-6 est un système graveur/asher utilisé pour des procédés tels que la gravure et le nettoyage de substrats semi-conducteurs. Il s'agit d'un système entièrement intégré qui comprend deux chambres distinctes pour la gravure et le nettoyage, permettant à l'opérateur de mener les deux processus dans le même temps. Le procédé de gravure utilise un plasma micro-ondes à résonance cyclotron électronique (ECR) pour générer un plasma haute densité d'espèces réactives, qui peut graver un large éventail de substrats. Le système utilise un biais RF spécial qui améliore le processus de gravure en augmentant l'énergie ionique, tout en permettant d'atteindre une sélectivité élevée. Le processus de cueillette utilise des options chimiques humides standard et à haute pression, y compris le propylène glycol, le KOH et le TMAH, pour nettoyer les substrats de matériaux indésirables. Le processus de nettoyage est très spécialisé pour réduire la contamination de surface des substrats et de la pièce à travailler. DRYTEK MS-6 offre une fiabilité et des performances supérieures qui permettent la gravure de précision et le nettoyage des substrats. Il est également capable de fonctionner sur une large gamme de paramètres de processus pour fournir un contrôle fin sur les processus de gravure et de nettoyage. En outre, LAM RESEARCH MS 6 peut être utilisé dans une variété de processus combinés tels qu'une gravure isotrope, la re-pulvérisation et la passivation à travers son installation à plusieurs chambres. Son approche modulaire offre aux utilisateurs une flexibilité et une large gamme de matériaux appropriés pour le traitement. En outre, MS-6 offre une homogénéité et une répétabilité améliorées par rapport aux procédés chimiques humides manuels et peut être facilement intégré dans les systèmes de production. En offrant les meilleures performances à un prix compétitif, LAM RESEARCH MS-6 est l'un des meilleurs systèmes de graveur/asher disponibles aujourd'hui.