Occasion LAM RESEARCH H12IHE #293661561 à vendre en France

LAM RESEARCH H12IHE est un équipement Plasma Etcher/Asher de type faisceau très avancé conçu pour fournir des résultats supérieurs pour une variété d'applications de traitement et de modification de couches minces. Sa conception intègre des améliorations techniques pour fournir une excellente uniformité et précision pour les processus de gravure critiques. Il dispose d'une nouvelle génération de système avancé de contrôle des gaz haute pression qui offre un haut degré de personnalisation et de flexibilité. H12IHE est une unité à six chambres qui se compose de trois sections principales : une chambre source, chambre de gravure et chambre N2. Il comprend également un Ion Gun avec un ensemble bouclier à longue durée de vie pour une meilleure uniformité et répétabilité ainsi qu'une machine de refroidissement pour une meilleure gestion thermique. LAM RESEARCH H12IHE est conçu pour répondre aux exigences de production à haut débit les plus exigeantes tout en offrant d'excellentes performances sur une large gamme de paramètres de gravure. La chambre source de gravure est équipée d'une source de plasma (ESEE) pour fournir les ions énergétiques nécessaires au processus de gravure. L'outil de contrôle des gaz haute pression dispose de contrôles de pression de précision et de surveillance des seuils atmosphériques pour assurer le fonctionnement le plus contrôlé, sûr et efficace possible. H12IHE intègre plusieurs technologies de pompage à vide élevé (HV) qui permettent des taux de remplissage de chambre personnalisés et permettent des temps de remplissage de chambre de processus optimaux et une excellente uniformité et répétabilité. La chambre de gravure est conçue pour assurer une homogénéité et une répétabilité supérieures des processus plasmatiques. Son profil à vide linéaire assure une gravure uniforme sur le substrat. L'outil de contrôle du débit de gaz de pointe de LAM RESEARCH H12IHE permet un contrôle précis et une gestion automatisée des paramètres physiques du processus de gravure. La chambre N2 fournit un environnement N2 dense qui réduit fortement la vitesse de gravure du matériau à graver. Cette chambre contient également une fenêtre transparente qui montre comment le processus de gravure progresse. H12IHE est équipé d'un module de processus bonus qui permet aux utilisateurs d'ajouter des modules de processus supplémentaires au modèle permettant le fonctionnement à des débits plus élevés. LAM RESEARCH H12IHE est soutenu par un réseau complet de services et de personnel de soutien pour s'assurer que les clients reçoivent les plus hauts niveaux de performance et de fiabilité. L'équipement est conçu pour être facilement évolutif et personnalisable, ce qui lui permet de répondre aux derniers besoins de traitement en couches minces. Il dispose également d'un système informatique intégré avec des normes de sécurité industrielle responsables de la surveillance des paramètres de sécurité en temps réel. Ses différentes caractéristiques de conception, telles que les commandes de pression de précision, l'unité efficace de contrôle des gaz et le profil à vide linéaire, lui permettent d'obtenir des résultats fiables, reproductibles et de haute qualité.