Occasion LAM RESEARCH Rainbow 4420 #293587259 à vendre en France

LAM RESEARCH Rainbow 4420
ID: 293587259
Style Vintage: 2010
Plasma etcher ESC Chuck, 8" 2010 vintage.
LAM RESEARCH 4420 est un outil avancé de gravure/cendres optimisé pour le traitement de substrat de structures à haut rapport d'aspect. Ce graveur-asher est idéal pour des applications avec des exigences de dépôt multicouches, telles que la gravure de tranchée profonde et le silicium sur isolant (SOI). Il est capable de graver et de déposer jusqu'à 15 couches de matériaux sensibles à la température et peut supporter la gravure jusqu'à 1 µm de tranchées profondes. LAM RESEARCH 4420 présente un design de pointe qui assure l'uniformité et la stabilité du processus de gravure/cendres, tout en permettant un contrôle précis du processus sur mesure. Il est construit avec une chambre de dépôt physique en phase vapeur (PVD) à pression variable (VP) et une source de plasma à capacité variable (VCPS) pour la gravure. Ce graveur-asher avancé assure une faible contamination ionique, une grande uniformité et une excellente sélectivité. La chambre offre un environnement stable en température, permettant un contrôle indépendant de la vitesse de gravure, de la sélectivité et de l'uniformité. Le VCPS offre un taux de gravure élevé et des capacités inertes de gravure-stop pour assurer une gravure/cendres reproductible. La 4420 est également équipée d'une technologie de refroidissement avancée et est soutenue par le service de profil d'uniformité du deutérium de LAM. Le 4420 offre une large gamme de processus reproductibles à haute fidélité dans tous les outils de gravure et de dépôt, y compris la pulvérisation, le dépôt physique en phase vapeur (PVD à puissance variable), le dépôt chimique en phase vapeur de métaux organiques (MOCVD), l'implantation ionique, la gravure humide, la gravure sèche et les fonctions sèches. Son contrôleur intuitif et son interface utilisateur intuitive facilitent la personnalisation des paramètres de processus. LAM RESEARCH 4420 graveur-asher est également conçu pour accueillir la gravure sans bordure dans des géométries difficiles, ainsi que la gravure multi-niveaux avec une grande uniformité et répétabilité. Cela permet une flexibilité maximale de conception pour les structures membranaires, les géométries 3D, les fils et vias intégrés et les interconnexions. En outre, le faisceau ionique concentré intégré (FIB) est utilisé pour l'ajustement fin et l'analyse de processus après gravure. Ce graveur-asher est idéal pour la modification d'appareil, la formation de TFT et l'optimisation de procédé pour la production de semi-conducteurs. Les systèmes de contrôle et de surveillance de pointe assurent un fonctionnement et un rendement fiables en gravure-cendres.
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