Occasion MATTSON Paradigm SI #9231983 à vendre en France

MATTSON Paradigm SI est un graveur/asher anisotrope pour les applications de traitement de semi-conducteurs. Il utilise un processus cyclique en plusieurs étapes pour permettre un contrôle très précis du processus de gravure/cueillette. Le processus commence par une étape de gravure sèche. La chambre est remplie d'un plasma de gaz, généré par le champ RF, provenant d'une alimentation de 13,56 MHz. Ce procédé élimine les contaminants à la surface de la plaquette et les transforme sous forme gazeuse. La gravure est suivie d'un processus humide. Une solution d'hydroxyde de potassium (KOH) et d'eau désionisée est introduite dans l'enceinte et est utilisée pour réagir avec les contaminants. Cette réaction et l'évaporation subséquente de KOH contribuent à éliminer le matériau tout en assurant une finition de surface lisse. La phase de cueillette utilise une combinaison de plasma d'oxygène (O2) et d'un flux de gaz d'azote chaud (N2). Cela aide à décomposer la matière organique à la surface de la plaquette et à réduire la quantité d'accumulation de carbone. La phase finale du procédé aide à améliorer la rugosité de la surface et élimine toute matière résiduelle du procédé Etch/Ashing. Un processus chronométré de plasma Ar et O2 est utilisé pour pulvériser la surface de la plaquette, améliorer encore la texture de la surface et minimiser les problèmes de dégradation de la durée de vie du circuit. Paradigm SI permet un contrôle très précis du processus Etch/Ashing. Cette précision permet d'assurer une qualité optimale du produit et une durée de cycle réduite. Le procédé en plusieurs étapes assure une grande homogénéité entre les substrats et une finition de surface très propre. Ceci fait de MATTSON Paradigm SI un choix idéal pour les couches diélectriques, de barrière et de métallisation.