Occasion PLASMATHERM 770 ICP #9123970 à vendre en France
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ID: 9123970
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1997
Ion coupled plasma etcher system
Dual chamber
Load lock shuttle lock transfer
RFPP–RF5S RF power supply w/AM5
Six zone heater
Pressure controller: PM5
RF20M with phase
Model 919 hot cathode controller
VAT PM5 adaptive pressure controller
Dual pumping stack with Leybold 600C
Leybold D65BCS
Dual sofie endpoint detectors
Gas chemistry:
Non-chlorine side:
(5) MFCs
(1) N2 Purge
Clorine side:
(4) MFCs
(2) N2 Purges
Plasmatherm windows based OS
208V, 3 Phase, 50/60 Hz
1997 vintage.
PLASMATHERM 770 ICP est un équipement de gravure à sec/asher avancé conçu à l'origine pour le développement et l'intégration de processus dans l'industrie des semi-conducteurs. Il est spécialement conçu pour répondre aux défis de haute gravure de ratio d'aspect, ce qui le rend adapté aux processus et applications les plus difficiles. Le système utilise une source de plasma à couplage inductif (PIC) qui produit du plasma à haute densité avec des espèces faiblement ionisées pour obtenir une plus grande précision et uniformité que les autres systèmes de gravure. L'ICP fonctionne à 10.2MHz et a une gamme de puissance allant jusqu'à 400 watts, permettant un contrôle précis de la puissance et de la profondeur de gravure. L'ICP fonctionne également à des températures comprises entre 450 et 950 ° C et a une plage de pression de 0 à 1000 mTorr pour une flexibilité et une précision accrues. L'unité dispose également d'une source de particules chargées neutres en énergie (ENCP), qui est conçue pour réduire les dommages à long terme à la plaquette. Cette source élimine les particules ionisées, créant un processus de gravure plus uniforme qui réduit les dommages aux micro-caractéristiques et améliore la précision globale. L'ENCP est également capable de fournir une vitesse de gravure plus élevée et une rugosité de surface réduite par rapport aux techniques de gravure alternatives. La machine dispose également de trois axes de mouvement et de centrage automatique opto-mécanique pour augmenter la productivité et la précision. Avec une chambre de traitement de 5,8 «, 770 ICP peut s'adapter à n'importe quelle tranche de taille et exécuter des processus de gravure jusqu'à 8,0 » de diamètre. La chambre de procédé recouverte de céramique présente également une conception de température uniforme qui crée un environnement de gravure stable. Pour le contrôle avancé des processus, l'outil utilise des fonctions d'automatisation avancées, y compris le contrôle thermique, Process Recipe Manager et le transfert semi-automatisé des plaquettes. Un actif de gaz robotique entièrement automatisé est également disponible pour réduire l'intervention de l'opérateur et améliorer la productivité, ainsi qu'un modèle de livraison de gaz traçable pour un meilleur contrôle de la composition du mélange de gaz. Dans l'ensemble, l'équipement PLASMATHERM 770 ICP etcher/asher est un outil puissant et fiable conçu pour les processus et applications les plus difficiles dans l'industrie des semi-conducteurs. Avec un plasma haute densité, une distribution uniforme de la puissance et un système de gaz automatisé, l'unité offre une précision de gravure et une répétabilité supérieures.
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