Occasion PLASMATHERM / UNAXIS 790 #9350317 à vendre en France

ID: 9350317
Taille de la plaquette: 8"
Reactive Ion Etcher (RIE), 8" Non load-locked single chamber RIE Electrode: 240 mm Diameter System setup to process: Diameter InP wafers, 2" RFPP RF Generator, 500 W RF Match: 500 W AMN Power supply ION Gauge controller type: 290 LEYBOLD 361C Turbo pump LEYBOLD NT 150 / 360 Controller LEYBOLD NT 150 / 360 Controller (Spare parts) MKS 1160B Mass Flow Controller (MFC) EDWARDS QDP40 Dry pump Manual 1995 vintage.
PLASMATHERM/UNAXIS 790 est un graveur et asher avancé destiné à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Cette unité est un équipement entièrement automatisé à haut débit qui offre à la fois des capacités de gravure plasma et de cendrage humide. L'UNAXIS 790 utilise une chambre de verrouillage de charge entièrement fermée et un bras de transfert robotique pour garantir les plus hauts niveaux de performance et de répétabilité. Le processus automatisé assure des résultats de gravure et de cueillette sûrs et cohérents avec un débit d'échantillon maximal de 60 plaquettes par heure. PLASMATHERM 790 est idéal pour la production de dispositifs actifs, y compris MOSFET, CMOS, Mémoires en lecture/écriture, SRAM, et DRAM. Le procédé de gravure plasma du système est basé sur un mélange gazeux ternaire composé d'oxygène Silane (SiH4) et d'hydrogène, et est réglé par un régulateur de pression automatisé. Grâce à ce procédé, 790 peuvent graver et nettoyer diverses couches complexes de dispositifs semi-conducteurs modernes. Les capacités de PLASMATHERM/UNAXIS 790 comprennent également la gravure des substrats et des taches, les contrôles de sélectivité, l'utilisation élevée des solutions et le contrôle de la température pour une gravure uniforme. Le procédé d'ashing de l'UNAXIS 790 est basé sur un procédé humide utilisant du gaz HF et de l'oxygène. Ce procédé est piloté par une machine automatisée de contrôle de pression qui utilise des cendres électrochimiques pour éliminer les dépôts organiques des substrats. Le processus de cendrage efficace et précis de l'outil réduit la contamination par les particules organiques. PLASMATHERM 790 est fourni avec une multitude de fonctionnalités orientées processus qui aident à améliorer les temps de processus et la productivité. Ces caractéristiques comprennent un actif de pression de gaz réglable qui permet de combiner la gravure plasma et le cendrage humide. Le logiciel intégré aide les utilisateurs à surveiller les différents paramètres de gravure et d'ashing, tout en fournissant des fonctions de collecte et d'analyse des données de journal. Ces fonctionnalités permettent à l'utilisateur de surveiller et d'ajuster avec précision les paramètres du processus pour obtenir des résultats sur mesure. En conclusion, 790 est un graveur et asher avancé pour la production de dispositifs semi-conducteurs. Doté d'un processus automatisé, le modèle offre un débit élevé et une productivité améliorée. La procédure de gravure Plasma de l'unité crée des couches de dispositifs complexes avec précision et précision tandis que son processus de cendrage humide élimine le matériau de dépôt organique. L'équipement est également livré avec une multitude de fonctionnalités axées sur les processus, offrant aux utilisateurs des performances de processus détaillées et reproductibles.
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