Occasion SAMCO RIE-200iP #9244966 à vendre en France
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Vendu
ID: 9244966
Taille de la plaquette: 6"-8"
Style Vintage: 2006
ICP Etcher, 6"-8"
Wafer transfer chamber
Tornado ICP high density plasma source
SAMCK'S Multi-zone exhaust system
Metal etching process kit for repeatable metal etching
Recipe storage and data logging
Footprint
Reaction gas
Produces stable and high density plasma
Multi-port vacuum system
ESC With active wafer temperature control (Helium backside cooling)
Use non-anisotropic etching of various bismuth films
2006 vintage.
SAMCO RIE-200iP est un graveur ou asher utilisé pour enlever du matériau de la surface d'un substrat en l'exposant à un plasma. Le plasma est généré par une source d'énergie Radio Frequency (RF), qui est ensuite utilisée pour créer une chambre de réacteur où le substrat est maintenu. Le substrat est placé sur une électrode, et la source de puissance RF est reliée à l'électrode. La puissance RF est alors utilisée pour créer un champ électrique intense qui ionise le gaz à l'intérieur de la chambre du réacteur à plasma. On obtient ainsi un plasma à haute énergie qui est utilisé pour graver ou asher la surface du substrat. RIE-200iP est capable d'utiliser divers gaz, dont le SF6, l'oxygène et l'azote. Ces gaz peuvent être utilisés pour graver du silicium, du quartz, du métal et même des matières organiques. Le procédé de gravure ou de cueillette est effectué à des pressions allant de 0,1 à 150 mbar, et peut atteindre des températures allant jusqu'à 800 ° C Ceci permet à l'utilisateur d'obtenir un haut degré de précision lors des opérations de traitement de surface. Le générateur RF est capable de produire des fréquences allant de 10 kHz à 40 MHz, et des niveaux de puissance allant de 0,1 à 300 Watts. Cela permet à l'utilisateur de contrôler complètement le processus de gravure, ce qui lui permet d'obtenir la meilleure finition de surface possible. En plus de la gravure et du cendrage, le SAMCO RIE-200iP peut également être utilisé pour le dépôt, comme le PECVD et le revêtement des pulvérisateurs. Pour ce faire, on introduit un second gaz à l'intérieur de la chambre du réacteur à plasma, en plus du gaz utilisé pour créer le procédé de gravure ou de cueillette. Ceci permet à l'utilisateur de revêtir la surface du substrat d'une fine couche de matériau, qui peut être utilisée à diverses fins. RIE-200iP est une machine fiable et durable qui peut être utilisée pour une variété d'applications. Son interface conviviale permet une configuration et un fonctionnement faciles, ce qui en fait un excellent choix pour tout processus de gravure ou de cueillette. Il est également très précis et polyvalent, avec la capacité de travailler avec une variété de matériaux et d'obtenir un haut degré de précision dans le processus de gravure ou d'ashing. Ceci en fait un choix idéal pour une large gamme d'opérations de traitement de surface.
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