Occasion STS / SPTS ICP DRIE #9248907 à vendre en France

STS/SPTS ICP DRIE (Inductively coupled Plasma Deep Reactive Ion Etching) est un type de système avancé de gravure de puissance qui a été largement adopté dans l'industrie des semi-conducteurs. Ce système a été développé comme une alternative aux graveurs classiques car il a été montré qu'il fournit un degré beaucoup plus élevé de précision, de polyvalence et de polyvalence à un coût moindre. STS ICP DRIE est composé d'une variété de composants, dont une source ICP, une chambre à vide, un mandrin de plaquette, un masque de plaquette, un générateur RF commandé par ordinateur, une table de mouvement XY de haute précision, et un système avancé de distribution de gaz. Le processus de gravure du SPTS ICP DRIE est initié par la création d'un plasma dans une chambre fermée. L'énergie produite par le plasma est utilisée pour graver les matériaux de la chambre, qui sont typiquement du silicium et d'autres matériaux semi-conducteurs. Le choix des paramètres de gravure (par exemple, température du substrat, puissance RF, vitesse de gravure) est géré par le générateur RF, qui assure un contrôle précis de la cinétique de gravure. Ensuite, une couche de gravure contenant du silicium est déposée sur la plaquette pour la protection contre l'environnement plasmatique. Enfin, le masque de plaquette est utilisé pour diriger la gravure localisée de zones spécifiques. En fonctionnement, le matériel DRIE du PIC est généralement situé dans un environnement de salle blanche. Le processus commence par le chargement de la plaquette dans la chambre à vide de l'graveur. La plaquette est ensuite mise en place dans le mandrin de plaquette et serrée. Le processus de gravure est initié par l'application de la puissance RF, qui crée un plasma à l'intérieur de la chambre fermée et provoque la gravure de la surface de la plaquette. L'ensemble du processus est constamment surveillé par l'ordinateur, qui est chargé de contrôler l'ensemble des paramètres conduisant le processus. Le contrôle précis de la gravure permet d'obtenir une réplication extrêmement précise du motif désiré avec un contrôle extrêmement précis des paramètres du processus de gravure. A la fin du processus de gravure, la plaquette est déchargée de la chambre, inspectée et mesurée pour divers paramètres tels que les dimensions, l'épaisseur et la qualité de surface. En bref, STS/SPTS ICP DRIE représente une technologie avancée de gravure de puissance qui offre un contrôle et une précision supérieurs aux anciens systèmes de gravure. Il convient à la gravure de divers matériaux dont des matériaux semi-conducteurs tels que le silicium, et est bien adapté à la réalisation de circuits intégrés et autres dispositifs semi-conducteurs.