Occasion TEL / TOKYO ELECTRON Chemical Vapor Deposition (CVD) systems #293665947 à vendre en France

TEL Chemical Vapor Deposition (CVD) Les systèmes TEL Chemical Vapor Deposition (CVD) sont des systèmes de gravure/ashing utilisés pour déposer des couches minces de matière sur des surfaces de manière contrôlée. Le système combine les principes physiques et chimiques du dépôt en phase vapeur avec des procédés à haute température pour diverses applications. Il est capable de déposer avec précision des couches minces sur des matériaux de substrat tels que du verre, des métaux et des matériaux de qualité semi-conductrice. A son coeur, le CVD est un procédé en phase vapeur qui implique l'introduction d'un ou plusieurs gaz réactifs dans une enceinte où un substrat et une surface chauffée sont maintenus à des températures élevées. La réaction du gaz réactif avec la surface chauffée produit un film du matériau désiré sur le substrat. Ce film est généralement très mince, possédant souvent des caractéristiques denses et uniformes. Les applications courantes des CVD comprennent le dépôt de films diélectriques et conducteurs pour puces semi-conductrices, de couches optiques à couches minces pour cellules solaires, de dispositifs d'affichage et de revêtements de protection pour composants médicaux et automobiles. En outre, la technologie est également utilisée pour le dépôt de métal et de céramique pour la corrosion, l'usure et la protection contre les barrières thermiques. En fonctionnement, le système se compose d'une chambre à vide élevé, de conduites d'alimentation en gaz, d'une pompe cinématique à vide et d'un réacteur. Avant de commencer, la chambre à vide doit être évacuée à une pression de 1 x 10-4 mbar. Une fois le vide atteint, le réactif gazeux est injecté dans la cuve réactionnelle, où une surface chauffée est présente. Le gaz subira une réaction exothermique rapide avec la surface chauffée, produisant une vapeur et créant un film sur le matériau du substrat. Dans le même temps, le réactif doit pénétrer dans la cuve réactionnelle à une température prédéterminée et en quantités précises. Selon l'état du gaz réactif, la température et la durée du processus de dépôt doivent être soigneusement contrôlées. Ceci assure un dépôt efficace et uniforme du film désiré sur le matériau du substrat. Lorsque le procédé est terminé, le gaz réactif est éteint et la cuve réactionnelle dépressurisée. Le film mince résultant est retiré du substrat, recueilli et traité en fonction de son objet. En résumé, TOKYO ELECTRON Chemical Vapor Deposition Systems fournit une méthode précise et fiable de dépôt de couches minces de matériaux sur des substrats. Le procédé est réglable selon les spécifications exactes du matériau désiré et du film mince. En contrôlant correctement la température et la durée du procédé, on peut réaliser des couches minces uniformes et très denses. Cette technologie est largement utilisée dans les secteurs de l'électronique, de l'aérospatiale, de l'automobile et de la médecine, notamment en raison de son efficacité dans le dépôt des films.