Occasion TEL / TOKYO ELECTRON Formula ALD High-K #9263885 à vendre en France

TEL / TOKYO ELECTRON Formula ALD High-K
ID: 9263885
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2014
LPCVD Furnace, 12" Mid temperature heater: VCM-50-012L 2014 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Formula ALD High-K est un graveur/asher d'ions réactif conçu pour fabriquer des dispositifs avancés de silicium et d'autres substrats dans l'industrie des semi-conducteurs. Équipé d'une source de plasma de haute précision et à la fine pointe de la technologie, l'outil permet de graver ou d'aspirer avec précision des couches extrêmement minces (jusqu'à 1nm) dans des structures planes et tridimensionnelles. Le système comprend également des améliorations d'équipement avancées spécifiquement conçues pour réduire le temps de processus du processus de gravure ou de cueillette tout en maintenant un niveau de précision maximal. Par exemple, il est équipé d'une source d'impulsions haute fréquence, ainsi que de systèmes de gaz améliorés pour des performances de gravure et de cueillette optimales. En outre, sa technologie unique TEL Formula ALD High-K permet un meilleur contrôle des caractéristiques du plasma et de la précision des vitesses de gravure. Ainsi, cela permet de reproduire des motifs de gravure et de cendrage de haut niveau avec répétabilité et uniformité. En outre, TOKYO ELECTRON Formula ALD High-K soutient l'utilisation de divers gaz, comme certains gaz fluorés, pour des procédés de gravure et de cueillette très spécialisés. Il a également des caractéristiques qui lui permettent de fabriquer une large gamme de couches de matériaux (entre 1 et 25nm d'épaisseur) avec des niveaux supérieurs de propreté et de précision. En outre, le système est compatible avec une variété de substrats, y compris les silicures, les oxydes et les diélectriques à haut K. Lorsqu'il est utilisé avec des mesures de sécurité appropriées et des connaissances spécialisées, Formula ALD High-K peut fournir un processus de gravure et d'ashing fiable capable de fabriquer des dispositifs de haute performance avancés à partir de silicium et d'autres substrats. Il s'agit donc d'un outil inestimable pour les entreprises de semi-conducteurs.
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