Occasion TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 #293643026 à vendre en France

TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730
ID: 293643026
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 2004
CVD System, 8" 2004 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 est un système de graveur/asher avancé basé sur la dernière technologie de balayage optique de TEL. Il est spécialement conçu pour la préparation et le traitement de substrats à haut volume. TEL MB2-730 est capable d'effectuer les deux opérations de cendrage/gravure. Il est équipé d'un système optique haute résolution pour optimiser le processus de production en utilisant des capteurs pour surveiller et mesurer avec précision la zone du substrat cible. Cela permet à TOKYO ELECTRON MB2-730 de fournir des capacités de débit supérieures et une excellente répétabilité des processus. MB2-730 utilise la technologie UHICP (ultra-high inductive-coupled plasma) pour offrir d'excellentes performances de gravure/cendres. Grâce à sa grande sélectivité, il peut fournir des résultats de gravure très fins, ce qui le rend idéal pour des applications haut de gamme telles que le traitement des semi-conducteurs ULSI. TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 dispose d'une interface conviviale permettant aux utilisateurs d'effectuer des opérations de cendrage et de gravure sophistiquées avec un minimum d'effort. Il est également compatible avec le logiciel avancé TOKYO ELECTRON Process Control Platform (PCP), permettant aux utilisateurs de surveiller et d'ajuster avec précision leurs processus depuis un endroit éloigné. La conception avancée et les caractéristiques de TEL MB2-730 en font un choix idéal pour toutes les applications de préparation et de traitement de substrat à haut volume. Sa conception compacte, combinée à ses capacités de débit élevées, en fait une solution efficace et rentable pour de nombreux types de substrats. Son logiciel de contrôle avancé garantit que l'opérateur peut effectuer des opérations de gravure et de cueillette sophistiquées avec un minimum d'effort de l'utilisateur, ce qui le rend idéal pour les applications avancées de semi-conducteurs.
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