Occasion TEL / TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K #9282608 à vendre en France
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Vendu
ID: 9282608
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2015
Vertical LPCVD Furnace, 12"
VCM-5D-012L Heater
Maximum operating temperature: 300°C
ART Control
N2 Load lock
Wafer type: Si SEMI STD-Notch
(50) Production wafers
Dry pumps missing
Loading area light: White (LED)
RCU Duct length FNC to RCU: 20m
Chemical prefilter hydrocarb
Chemical prefilter location: FNC Top
Wafer / Carrier handler:
Carrier type: FOUP / 25-Slots SEMI STD
ENTEGRIS A300 FOUP
Carrier stage capacity: 10
Info pad A,B: Pin
Info pad C,D: Pin
Fork material: Al2O3
Furnace facilities:
Furnace exhaust connection point: Top connection
Cooling water connection point: Bottom connection
Air intake point: Top
Gas distribution system:
IGS Type: IGS 1.5" W-Seal rail-mount
FUJIKIN IGS System
Tubing bends: <90°C
PALL IGS Final filter
IGS Regulator: CKD
HORIBA STEC IGS MFC Digital
HORIBA SEC-G111 IGS MFC For low flow N2 purge
IGS Press transducer: Nagano
HORIBA STEC LSC-F530 Liquid source vapor system
For ZAC HORIBA STEC TL-2014
Auto refill system TMA: AIR LEQUIDE / CANDI
Auto refill system ZAC: AIR LEQUIDE / CANDI
OP-500H-RE1 Ozone delivery system
Injector O-Ring material: DU353
Gas facilities:
Incoming gas connection point: Bottom connection
Gas VENT Connection point: Bottom connection
Exhaust VENT Connection point: Bottom connection
Gas unit exhaust connection point: Bottom connection
Exhaust:
Vacuum gauge pressure controller: MKS Capacitance manometer (Hot)
Vacuum gauge press monitor 133 kpa: MKS Capacitance manometer (Hot)
Vacuum gauge pump monitor: MKS Capacitance manometer (Hot)
CKD VEC-VH8-X0110 Main valve
VYX-0279-CONT Controller
EDWARDS iXH-1820T Pump
EDWARDS TPU Abatement system
Type: Burning type
Exhaust box: Wide type (1200 mm)
Exhaust O-Ring material: DU353
FNC Power box: 30m
FNC RCU: 30m
Power box RCU: 30m
Power box pump unit: 30m
Power box refill system: 30m
Host communications: Comply with GJG
Equipment host I/F Connection: Power box top HSMS (10Base-T/100Base-TX)
Ingenio
OHT Capability
Load port operation: Lower and upper
PIO I/F Location: FNC Top
PIO Provided by: TEL
HOKUYO DMS-HB1-Z PIO
Carrier ID Reader writer type: RF
CIDRW Lower L/P: Read
CIDRW Upper L/P: Read
CIDRW FIMS: Read/Write
CIDRW: HOKUYO DMS-HB1-Z Series
CIDRW Tag orientation: Vertical
Customized management signals: PT/Water
Interface:
Signal tower model: LCE Series
Signal tower colors: Red/Blue/Yellow/Green
Signal tower location: Front for 10 Stocker (Left)
Front operation panel
MMI and gas flowchart: Gas box and front operation panel Installed
Indicator type: HOKUYO DMS-HB1-Z Series
Operator switch: Operator access / White cover with orange light
Pressure display unit: MPa / Torr
Cabinet exhaust pressure display: Pa
Warning label: Chinese/English
Power:
Power cable input entrance loc: Power box top
Power supply:
3 Phase connection type: Star connection
200/400 VAC, 60 Hz, 3 Phase
2015 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K est un équipement avancé de gravure et de gravure anisotrope conçu pour le dépôt de haute précision de couches de couches minces diélectriques de haut k. Le système utilise la technologie avancée Telformula ALD pour fournir une définition de ligne supérieure et une excellente couverture d'étape, ce qui améliore le rendement et les performances de l'appareil. Cette unité permet aux utilisateurs de déposer des couches diélectriques hautes performances avec SiO2, SiN, SiC, ou toute combinaison d'entre eux. Il fonctionne en mode manuel et automatisé, permettant une large gamme de processus de gravure. La machine utilise également une formation de gravure ionique réactive (RIE) pour la gravure de haute précision des motifs et des structures de ligne. TEL Telformula ALD High-K est conçu pour le traitement par lots, qui fournit une gravure à haut débit pour de grands volumes de pièces et de substrats. L'outil est équipé du logiciel Advanced Process Control (APC), qui est un nouvel outil puissant pour surveiller et contrôler le processus de gravure. Ce logiciel fournit une analyse en temps réel des paramètres du processus de gravure et utilise le contrôle de retour in situ pour minimiser les variations. L'actif dispose d'une large gamme de paramètres de processus, y compris la température de gravure allant de 0 ° C à 350 ° C, la température du substrat jusqu'à 500 ° C, la pression de gravure jusqu'à 6Torr, le temps de gravure jusqu'à 5 minutes, et les options de vanne de gaz d'alimentation multiple. Le modèle offre également une pression facultative. Équipement de débit intermédiaire (PIF), qui permet un contrôle précis de la pression de gravure et des flux de gaz pendant le processus de gravure. TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K est conçu pour la compatibilité avec une variété de matériaux de résistance et permet un contrôle précis des paramètres de gravure pour des résultats de gravure haute performance reproductibles. Sa plate-forme de procédé optimisée offre une meilleure productivité, avec des taux de gravure plus élevés et un rendement de dispositif supérieur à celui des autres systèmes de gravure. Cet etcher est également capable de produire des caractéristiques de haute résolution jusqu'à 0,3 µm de largeur de ligne avec une uniformité et une répétabilité exceptionnelles, ce qui le rend idéal pour le développement de dispositifs semi-conducteurs avec une définition précise de ligne et une uniformité de caractéristiques.
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