Occasion TEL / TOKYO ELECTRON Trias #9357266 à vendre en France
URL copiée avec succès !
ID: 9357266
Taille de la plaquette: 12"
Style Vintage: 2006
CVD System, 12"
Process: BL GL Ti Dep
BROOKS AUTOMATİON TLG-LON Load port, (3) FOUPs
SHINKO SELOP12F25-30A-13
SHINKO SBX92101286-3 FI Robot
FUJI M-UPS050J22L-UL UPS
SANEI GIKEN TL7KCPVB-2P Chiller
MPD
Transformer box
Mainframe:
YASKAWA XU-RVM4100 Buffer robot
V TEX I-I-98009-2-1 LLM1.2 Gate valve
KITZ DOUBLE ACTION Chamber gate valve
Process chambers: PM1, PM2, PM3, PM4
Single wafer chamber
With stage heater
RKC INSTRUMENT INC Module heater controller
TEL TMC2001 Module heater controller
Column trap
KYOSAN HFK15Z-TW1 RF Generator
KYOSAN EAKIT RF Matcher
VERIFLO SQ-MICRO-602PUPGPA Regulator
LEYBOLD TSR211S Pirani sensor
INFICON VSA100A Pressure Sensor
MKS 626A01TDE Capacitance manometer
LEYBOLD CDG160A-S 1330PA Capacitance manometer (1333Pa)
LEYBOLD CDG160A-S 133PA Capacitance manometer (133KPa)
STEC VC131004ST20 Vaporizer (TiCL4)
Gases:
Gas / Make / Model / Valve
MFC2 / ClF3 / SAM / SFC1470FA / 500 SCCM
MFC5 / Ar / SAM / SFC1480FA / 5 SLM
MFC6 / H2 / SAM / SFC1481FA / 300 SCCM
MFC7 / NH3 / SAM / SFC1480FAPD / 0.6/2 SLM
MFC8 / N2 / SAM / SFC1480A / 2 SLM
MFM / TiCl4 / STEC / SEF-8240 / 20 SCCM
2006 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Trias est un graveur/asher utilisé dans la microfabrication de matériaux semi-conducteurs. Le dispositif utilise un procédé de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD) pour déposer des couches minces de matériau sur la surface du substrat. L'équipement fonctionne sous vide en utilisant une source de gaz qui est brûlée dans la chambre à plasma pour former un film du matériau désiré d'épaisseur contrôlée. Le graveur/asher offre également un taux de sélectivité élevé, ce qui permet une gravure précise des couches de dépôt, permettant une fabrication extrêmement précise des caractéristiques des matériaux semi-conducteurs. Ceci est obtenu en émettant une large gamme de gaz dans la chambre à partir de conduites de gaz séparées. TEL Trias 'RF Generator produit un signal haute fréquence pour produire du plasma à partir du gaz, qui est ensuite dirigé sur la surface du substrat. TOKYO ELECTRON Trias propose également un procédé de gravure utilisant un système en deux étapes. Un gaz de gravure est passé à travers la chambre, ainsi qu'un gaz réactif qui fournit les espèces nécessaires pour créer le produit de gravure. Au cours de ce processus, la chambre fonctionne sous une pression atmosphérique réduite (inférieure à 100 mtorr) et à l'écart des parois de la chambre, ce qui contribue à maintenir le plasma à une température optimale. De plus, Trias etcher/asher est en mesure de contrôler précisément le processus de gravure afin d'atteindre un haut niveau de précision et d'uniformité. L'équipement offre une variété de caractéristiques, telles que le Rapport sur la réussite du programme et le Système de surveillance des processus, afin d'assurer des caractéristiques de gravure et de dépôt reproductibles. Ceci est de la plus haute importance, car il assure que chaque appareil produit le plus haut niveau de qualité. De plus, le générateur RF est couplé à un générateur RF 3D, qui permet une compensation efficace des dépôts non uniformes, en raison des conditions de charge, d'alignement et de température des plaquettes. Ceci assure des processus de gravure et de dépôt uniformes, qui sont essentiels à la fabrication de dispositifs microélectroniques de qualité. Dans l'ensemble, TEL/TOKYO ELECTRON Trias est extrêmement utile pour une grande variété d'applications de gravure et de dépôt. Ses caractéristiques avancées et sa facilité d'utilisation permettent une fabrication précise des dispositifs semi-conducteurs dans un environnement contrôlé. Grâce à sa disposition intuitive et à ses capacités, TEL Trias est un outil essentiel dans l'industrie moderne de la microfabrication.
Il n'y a pas encore de critiques