Occasion ULVAC NE-950EX-V #9298684 à vendre en France

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Fabricant
ULVAC
Modèle
NE-950EX-V
ID: 9298684
Style Vintage: 2015
CCP Etcher Capable of running: Single, 12" / Three, 6" Automated cassette to cassette handling (3) Wafers batch: 6" dia (7) Wafers batch: 4" dia (12) Wafers batch: 3" dia (29) Wafers batch: 2" dia Equipped ICP with magnetic field ULVAC P/N: 3188353 High density plasma source (2) ULVAC P/N: 3429391 Proprietary star electrodes Dry etching technology GaN, Sapphire, metal, ITO, SiC, AlN, ZnO (4) Elements compound semiconductor materials Option included 2015 vintage.
ULVAC NE-950EX-V est un graveur/asher utilisé pour les processus de gravure et de cueillette dans la production de dispositifs semi-conducteurs. Ce modèle de graveur/asher combine une large gamme de capacités de gravure et de traitement ashing dans une seule machine. Avec une surface de substrat de 450mm × 450mm, NE-950EX-V a une capacité de traitement allant jusqu'à trois plaquettes de verre, un substrat métallique ou organique, ou un morceau de verre de quartz. Il fournit une variété de processus de gravure et de cendrage, y compris la gravure parallèle, la gravure par clip, la gravure profonde, le fraisage ionique, la gravure ionique réactive, le parage du faisceau d'électrons et le nettoyage des plaquettes. ULVAC NE-950EX-V est équipé d'un appareil de microscope de gravure à haute résolution, qui utilise l'éclairage optique diffusé pour l'observation claire et l'alignement précis de chaque substrat. Le système de microscope est capable d'agrandir jusqu'à 100x et de traiter avec précision les plaquettes à des tolérances de ± 10 microns. Il est également possible de réaliser la gravure avec des joints toriques auto-remplaçables, ainsi que de permettre la gravure à sec avec divers gaz. NE-950EX-V dispose d'une source ECR intégrée (résonance cyclotron électronique) avec une densité d'électrons jusqu'à 3 x 10 ¹ º cm⁻¹, permettant la création de plasma haute densité pour la gravure et le parage dans une pression unitaire totale de 5 Pa ou moins. Cette pression ultra basse permet d'améliorer l'uniformité de gravure et de réduire le taux de départ des surfaces de plaquettes. La source ECR dispose également d'un contrôleur numérique intégré, qui contrôle la fréquence du cyclotron électronique, le mode de courant et la synchronisation automatique de phase pour assurer une gravure et un parage optimaux sur tous les substrats. ULVAC NE-950EX-V comprend également une lampe à plasma à champ secondaire unique capable de fournir du plasma ultra-haute fréquence pour des performances de nettoyage supérieures. La lampe à plasma fonctionne à des fréquences allant jusqu'à 500MHz, assurant un nettoyage rapide et cohérent des plaquettes. Il comprend une chambre extérieure pour l'entretien préventif avec une machine de contrôle de gaz à 5 étages, permettant un contrôle précis de tous les gaz utilisés pendant le processus. NE-950EX-V soutient également les mesures de sécurité et d'environnement pour la production de semi-conducteurs. Cela comprend des hottes et d'autres dispositifs de sécurité pour réduire le risque d'odeur et de bruit autour de la machine, ainsi que des systèmes d'échappement correctement conçus pour minimiser la pollution atmosphérique. En conclusion, ULVAC NE-950EX-V est un graveur/asher fiable et avancé, capable de fournir des performances de gravure et d'ashing exceptionnelles pour une variété de dispositifs semi-conducteurs. Avec son outil de microscope de gravure haute résolution, sa source ECR et sa lampe à plasma ultra haute fréquence, il établit une norme de qualité et de fiabilité dans la production de semi-conducteurs.
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