Occasion BOC EDWARDS Zenith III/V #151206 à vendre en France

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ID: 151206
MOCVD AIXTRON scrubber Electrical supply: Voltage: 208V Phases: 3 Frequency: 60Hz Conductor size required: 6 mm^2 Maximum current consumption: iH80 pump: 14.6A QMB500F pump: 8.8A TPU: 20A Circuit breaker ratings (system control unit): CB1: 6A CB2: 6A CB3: 10A CB4: 6A Fuse ratings (system control unit): F1: 3.15A F2: F3: F4: 3.15A (5V DC) F5: 1A (12V DC) F6: 3.5A (24V DC) Conductor colors used: > 100V: black AC line neutral: white 24V AC: red 24V AC return: white 24V DC positive: violet 24V DC negative: brown Signal return: pink Earth (ground): green / yellow Earth (ground) leakage circuit breaker: 30mA Fuel gas flow: Fuel gas: Type: Methane Calorific value: 36.9 to 42.3 MJ/min^3, 972 to 1114 BTU/s ft^3 Supply pressure: 1 to 10 psi, 0.07 to 0.7 bar Flow rate: 37 L/min Nitrogen: Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa Flow rate: Into the TPU: 15 L/min Into the pumping system: 50 L/min Compressed dry air: Supply pressure: 4 to 6 bar gauge, 58 to 87 psig, 5x10^5 Pa to 7 x 10^5 Pa Flow rate (for each TPU inlet): 30 L/min.
BOC EDWARDS Zenith III/V est un équipement polyvalent de gravure à plasma à architecture ouverte conçu pour une grande variété d'applications de haute précision telles que la fabrication de dispositifs microélectroniques, les dispositifs MEMS, les plaquettes semi-conductrices et divers autres matériaux à couches minces. Ce système de gravure est hautement configurable et peut être adapté à une multitude de processus. L'unité dispose d'une enceinte étanche et est conçue pour maximiser la sécurité et l'efficacité pendant les opérations. Il est équipé de trois chambres de procédés indépendantes ; la chambre principale pour la gravure par plasma, une chambre facultative UVA/N2O pour les opérations de cendrage et une chambre CVD pour le dépôt de pulvérisateurs. BOC EDWARDS Zenith III/V est composé de deux composants principaux : l'armoire de la chambre de procédés et l'unité de commande. L'armoire comporte de nombreuses caractéristiques et composants, tels que la chambre de gravure à plasma, la chambre de gravure à sec, la source de plasma à distance, les alimentations en courant continu, les supports de substrat et les systèmes de distribution de gaz. L'unité de contrôle s'interface avec l'armoire de la chambre de processus et fournit un large éventail de fonctions, y compris le contrôle des paramètres du processus, l'enregistrement et l'analyse des données, ainsi qu'une interface graphique conviviale. BOC EDWARDS Zenith III/V dispose d'un procédé de gravure plasma basse pression qui fournit un haut degré de contrôle et de reproductibilité à la gravure. Le procédé est réalisé dans la chambre de gravure et est alimenté par une source distante. Le processus de gravure est contrôlé par l'unité de contrôle et peut être configuré pour une variété de paramètres tels que la pression, le temps, la température et l'affichage. La chambre optionnelle UVA/N2O est conçue pour les opérations de cendrage et utilise le rayonnement ultraviolet pour éliminer sélectivement les composés organiques de la surface. Cette chambre est également alimentée par sa propre source distante, assurant un processus isolé de la chambre de gravure. La chambre CVD est utilisée pour le dépôt de pulvérisateurs, une technique qui produit des couches minces de métal ou d'autres matériaux sur un substrat. La chambre est équipée de plusieurs caractéristiques, dont le contrôle de la température, le contrôle de la pression et la capacité de régler le courant d'ionisation. BOC EDWARDS Zenith III/V est une machine de gravure à plasma évoluée et polyvalente qui convient à une grande variété d'applications de haute précision. Il offre un haut degré de contrôle des processus, des résultats de haute qualité et est conçu pour améliorer la sécurité et l'efficacité. Il est bien adapté pour une variété d'applications en couches minces dans la microélectronique, la fabrication de dispositifs MEMS, et les plaquettes semi-conductrices.
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