Occasion EATON NOVA / AXCELIS GSD 200 HE #293829786 à vendre en France

ID: 293829786
Taille de la plaquette: 6"
Ion implant, 6" (4) Cassettes Standard specific layout ELS Source Source analyzer magnet, FEM Y Scan and rotary drive Beam energy configuration: Beam energy: 0 ~ 1200 keV Extraction mode: 0 ~ 90 keV Linac mode: 90 ~ 1200 keV Vacuum pump system: Turbo pump: SEIKO SEIKI Pump STPA2203C2 Turbo pump (LINAC): Pump P039 STP603C Cryo pump (beam line and chamber): CTI-On board-8, CTI-On board-10 Cryo pump (beam line and chamber): CTI-On board-8, CTI-On board-10 Cryo compressor: CTI-9600 Dry pump: QDP-80 (Three units) Gas / Model / MFC Type PH3 / MFC / SDS BF3 / MFC / Standard XENON / MFC / Standard Ar / MFC / Standard.
EATON NOVA/AXCELIS GSD 200 HE Ion Implanter & Monitor est un équipement d'implantation avancé conçu pour répondre aux besoins exigeants de l'industrie des semi-conducteurs. Il est capable d'implanter diverses espèces d'ions, dont le bore, le phosphore, l'arsenic et l'oxygène. Le système peut être utilisé pour implanter dans une variété de matériaux, y compris des plaquettes de silicium, ainsi que d'autres composés tels que du silicium polycristallin. Il offre des capacités de débit élevées en raison de ses débits de dose élevés et de ses systèmes de contrôle de faisceau précis. L'unité dispose de plusieurs capteurs ioniques de pointe qui surveillent les paramètres du faisceau d'ions et optimisent les performances de l'implanteur. Cela garantit que les paramètres restent dans leur plage acceptable pour une implantation de la plus haute qualité. Une variété de systèmes de contrôle aident à s'assurer que la dose appropriée est maintenue pour les résultats souhaités. La machine offre également des opérations d'instruments à commande manuelle et automatisées. L'AXCELIS GSD 200 HE est également équipé d'une grande variété de fonctions de sécurité. Ces caractéristiques permettent de s'assurer que le faisceau d'ions et l'environnement de processus restent sûrs pour l'opérateur. Il dispose d'un outil intégré de surveillance des pannes qui alerte l'utilisateur lorsqu'une condition potentiellement dangereuse est détectée. De plus, l'actif est équipé d'une chambre d'isolation sous vide anti-explosion qui aide à empêcher toute libération involontaire de matière de la chambre de procédé. EATON NOVA GSD 200 HE est conçu pour réduire les coûts et améliorer l'efficacité dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses systèmes innovants de contrôle ionique lui permettent d'atteindre des doses plus élevées rapidement et avec une grande précision. De plus, son modèle de refroidissement à grande vitesse assure un refroidissement rapide et régulier des plaquettes après l'implantation, réduisant ainsi les temps d'arrêt du dispositif et permettant des rendements de plaquettes plus élevés. L'équipement est également conçu pour réduire les déchets et minimiser la contamination, conduisant à des rendements plus élevés et à un fonctionnement plus efficace. Dans l'ensemble, le GSD 200 HE est un implant ionique de pointe qui combine les dernières technologies avec une fiabilité éprouvée, lui permettant d'offrir des performances d'implantation supérieures pour l'industrie des semi-conducteurs. Ses systèmes de contrôle de précision, ses caractéristiques de sécurité avancées et son fonctionnement efficace en font le choix idéal pour toutes les applications de semi-conducteurs.
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