Occasion EATON NOVA / AXCELIS GSD 200EE #293775087 à vendre en France
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ID: 293775087
Taille de la plaquette: 8"
Style Vintage: 1999
Ion implanter, 8"
Fab section: Implant
CIM: SECS
Handler: Non HPES
Factory interface: SMIF
Non-OFS
CELL 177
Universal dose controller
BSA
1999 vintage.
EATON NOVA/AXCELIS GSD 200EE est un système d'implantation et de surveillance ionique de pointe conçu pour les procédés de dopage par faisceau d'ions de haute précision dans les installations de fabrication de semi-conducteurs. Cet équipement de pointe intègre une technologie de pointe pour offrir des performances, une précision et une fiabilité supérieures dans les applications d'implantation. Le cœur du système AXCELIS GSD 200EE est son module source d'ions, qui génère et accélère les faisceaux d'ions à des niveaux d'énergie précis requis pour doper les plaquettes de silicium. La source d'ions utilise des techniques avancées de génération de plasma pour produire un faisceau d'ions stable et contrôlable avec une densité et une uniformité de courant élevées. Ceci assure des profils de dopage uniformes sur la surface de la plaquette, essentiels pour obtenir des performances cohérentes dans les dispositifs semi-conducteurs. Le faisceau ionique est extrait du module source et dirigé vers la plaquette à l'aide d'éléments de focalisation et d'optique de faisceau sophistiqués. Ces optiques sont conçues pour minimiser la divergence du faisceau et maintenir la stabilité du faisceau pendant le processus d'implantation. Un contrôle précis du courant du faisceau, de l'énergie et de la taille des taches permet de disposer de profils d'implantation adaptés aux exigences spécifiques des différents dispositifs semi-conducteurs. EATON NOVA GSD 200EE dispose d'une gamme complète de systèmes de surveillance et de contrôle pour garantir des performances d'implantation optimales. La surveillance en temps réel du courant du faisceau, la mesure de l'énergie et l'analyse du profil du faisceau fournissent aux opérateurs une rétroaction détaillée sur le processus d'implantation, permettant des ajustements immédiats pour maintenir la stabilité et la précision du processus. En plus de ses capacités d'implantation, GSD 200EE est équipé de fonctionnalités d'automatisation avancées pour augmenter la productivité et l'efficacité opérationnelle. Les systèmes automatisés de traitement des plaquettes, les logiciels de gestion des recettes et les capacités de diagnostic à distance rationalisent les processus d'implantation et réduisent les temps d'arrêt, optimisant l'utilisation des outils et la productivité. EATON NOVA/AXCELIS GSD 200EE est conçu avec un accent sur la fiabilité et la disponibilité, essentiel pour les environnements de fabrication de semi-conducteurs à haut volume. Une construction robuste, des algorithmes avancés de détection d'erreurs et des capacités de maintenance prédictive assurent un fonctionnement ininterrompu et minimisent les temps d'arrêt non planifiés, permettant aux fabs de respecter des calendriers de production serrés et des normes de qualité. Dans l'ensemble, AXCELIS GSD 200EE représente une solution de pointe pour l'implantation ionique dans la fabrication de semi-conducteurs, fournissant précision, performance et fiabilité pour les procédés dopants avancés. Sa technologie avancée de source d'ions, ses systèmes complets de surveillance et de contrôle et ses fonctionnalités automatisées en font un outil polyvalent et efficace pour une large gamme d'applications de fabrication de dispositifs semi-conducteurs. En mettant l'accent sur la précision, la répétabilité et la productivité, EATON NOVA GSD 200EE est un élément essentiel des installations modernes de fabrication de semi-conducteurs qui recherchent l'excellence dans la performance et le rendement des appareils.
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