Occasion EATON NOVA / AXCELIS NV GSD 200E2 #9224295 à vendre en France
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Vendu
ID: 9224295
Taille de la plaquette: 8"
High current ion implanter, 8"
180 keV
SMIF System: ASYST LPT2200 SMIF Interface capability
Hardware configuration (Subfab / Auxiliary units):
Cryo compressor
Disk chiller
Vacuum system:
Cryo compressor 1: CTI-8200 (P2)
Cryo compressor 2: CTI-9700 (P3)
Beam line cryo pump 1: OB 8 ( P2 )
Beam line cryo pump 2: OB 10 (P3 )
No process cryo P9
Source pump: STPA2203C ( P1 )
No AMU Turbo pump
Terminal rough pump: EBARA Pump 40x20 ( RP1 )
Endstation rough pump: EBARA Pump 40x20 ( RP2 )
Vacuum controller: HCIG
End station:
(4) Cassettes
Wafer notch alignment: Automatic notch alignment capability with buffer cassette
Dummy wafer: Integrated dummy wafer fill-in capability
Wafer handling system: In-air / In-vacuum high throughput wafer handling system
Particle filter system: Class 1, UPLA filtered wafer handling system
Implant angle capability:
Two axis variable implant angle (+/- 11 deg in two axes)
Quad implant capability
Process disk spindle: GSD Series belt drive process disk
With active cooling and external close loop chiller
Beam monitoring system:
In situ beam potential monitor
Real-time patented dose control
Real-time beam profiler (Single dimension)
Process disk: Silicon coated process disk (UHD Small radius fence)
Process disk cooling interlock
Gas box options:
Modular gas box
(4) String gas box options
High pressure string
(2) SDS String hydride (Arsine and phosphine)
SDS String flouride (Boron trifluoride)
(3) Pressure transducers on SDS string: PSIA
Mass flow controller:
1660 Kit
(3) 1662 Kits
Extraction PS: 0-90 kV
Extraction voltage monitor
Vaporiser
Ion source: Eterna ELS (Extended life source)
Source bushing:
Extended life bushing
Source liner for extended life bushing
N2 Purge: Bypass valve and nitrogen purge
Extraction electrode 34
Source injection kit
AMU System: Triple indexed mass analysis magnet and power supply
Post accel PS: 0 -90 kV
No post accel electrode
Terminal transfomer: Dry transformer
Bias aperture assy
Flag faraday
Charge control technology:
Secondary electron flood gun: PEF
Closed-loop cooling system selection:
Cooling system: Single loop affinity chiller
Control UPS
Main isolation transformer
Abatement system: EGS237 Novapure
Smoke detector
Exhaust flow switch
Water leakage sensor
Light tower
No real time particle detection system
Advanced automation package:
SUN SOLARIS Operator workstation: Hard drive, 21" monitor
SECS I and SECS II Protocols
GEM Interface and ethernet ports
CIM Linked
Missing parts:
Gauss probe / Controller
Arm servo motor assemble
Wafer handler / Gyro controller
Cryo controller interface
Cell controller part
Extraction electrode board
MFC Interface board
Source assembly
Post stack assembly.
EATON NOVA/AXCELIS NV GSD 200E2 est un implant ionique et un moniteur. Ce type d'équipement est utilisé pour implanter des ions à travers une membrane mince dans le substrat ou le matériau cible. Conçu spécifiquement pour l'implantation à haute vitesse et à haute température, ce dispositif est idéal pour les applications semi-conductrices et autres technologies. AXCELIS NV GSD-200E2 utilise une source d'ions de type tétrode, qui accélère les ions à des énergies allant de 2 à 200 KeV. Ce type de source d'ions présente une très large couverture, permettant un positionnement précis du faisceau d'ions. Le dispositif dispose également d'une tension d'accélération primaire réglable, qui peut être modifiée pour répondre aux besoins du matériau cible. Cette caractéristique garantit que le dispositif délivre un faisceau d'ions cohérent, permettant une implantation la plus régulière possible. En outre, la source d'ions peut être ajustée pour fournir une gamme d'énergies de faisceau d'ions, assurant la profondeur d'implantation optimale pour le matériau cible. La surveillance du processus d'implantation ionique s'effectue par divers moyens. EATON NOVA NV-GSD 200E2 est équipé d'un écran numérique, qui permet des lectures précises du courant d'ions, des niveaux d'énergie, et plus encore. De plus, le dispositif est équipé d'un enregistreur de données de faisceau d'ions, permettant une lecture précise de tous les paramètres d'implantation d'ions. De plus, le dispositif est capable d'analyser en temps réel les paramètres du faisceau d'ions, ce qui permet aux opérateurs de réagir rapidement à toute modification des paramètres du faisceau. EATON NOVA NV-GSD 200E-2 est conçu pour assurer un fonctionnement sûr et fiable dans un large éventail d'environnements d'implantation. Le dispositif est fabriqué avec un transformateur d'isolation haute tension, évitant les chocs électriques dangereux pour l'utilisateur. De plus, le dispositif est conçu pour utiliser un environnement à basse pression gazeuse, assurant la sécurité du processus d'implantation. En outre, ce dispositif est équipé d'un système de lecture à l'épreuve des erreurs, permettant aux opérateurs d'identifier rapidement les erreurs dans le processus d'implantation. Dans l'ensemble, EATON NOVA/AXCELIS NV-GSD 200E-2 est un dispositif efficace et fiable d'implantation et de surveillance des ions. Avec sa source d'ions réglable, une variété d'options de moniteur et d'analyse, et une gamme de caractéristiques de sécurité, cet appareil est un choix idéal pour les applications de semi-conducteurs et d'autres technologies.
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