Occasion NISSIN Exceed 2000 AH #293647879 à vendre en France

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ID: 293647879
Medium current ion implanter.
NISSIN Exceed 2000 AH est un implant et un moniteur ionique qui assure un contrôle supérieur de la diffusion dopante et la précision de la fabrication des semi-conducteurs. Il est conçu pour garantir une précision de dopage supérieure et des performances de processus, tout en contribuant à réduire les coûts. NISSIN EXCEED 2000AH regroupe la technologie avancée d'implantation ionique et l'intégration de NISSIN Process Monitor pour fournir les niveaux les plus élevés de précision et de fiabilité d'implantation ionique disponibles. Plus de 2000 AH dispose d'un implanteur ionique à source unique haute tension et d'un ensemble de moniteurs complet pour un contrôle de processus étendu. Il bénéficie d'une conception améliorée de l'obturateur qui permet une implantation facile et la précision de détection du point d'extrémité. Une source d'ions intégrée permet l'implantation précise d'ions avec une fluence abondante du faisceau d'ions, des profils verticaux uniformes et des contaminants extrêmement faibles. EXCEED 2000AH comprend également un équipement amélioré de surveillance des faisceaux, qui permet un contrôle de processus supérieur et la prévention des erreurs de direction des faisceaux d'ions. NISSIN Exceed 2000 AH dispose d'un système amélioré de focalisation des faisceaux et d'une gamme de fréquences ultra-large pour améliorer le contrôle des processus. NISSIN EXCEED 2000AH offre également un contrôle et une surveillance améliorés de tous les principaux paramètres du cycle d'implantation, avec la capacité de définir les points d'implantation, de surveiller les concentrations et de détecter rapidement les points d'extrémité. En outre, Exceed 2000 AH utilise plusieurs détecteurs, y compris des détecteurs de thermocouple et de synchrotron, pour obtenir un maximum de précision dans le contrôle du dopage. EXCEED 2000AH comprend NISSIN FPM (Fourier Processor Monitor), qui assure une implantation précise des dopants dans les substrats semi-conducteurs. Le FPM dispose également d'un large éventail de fonctions de processus, permettant d'obtenir des caractéristiques d'implant fiables et répétables avec un minimum d'effort, tels que des profils verticaux uniformes, des fluences de faisceau d'ions et la synthèse de profils de dose précis. NISSIN Plus de 2000 AH offre une variété de capacités pour assurer un contrôle optimal des processus, améliorer le rendement des unités et réduire les coûts. Il s'agit notamment d'une meilleure couverture de surface, d'une amélioration de la surveillance et du contrôle (M&C), de capacités d'analyse avancées, de diagnostics à distance et de vérification, et d'un meilleur contrôle de la machine, ainsi que d'un contrôle entièrement automatisé de la température du substrat de la plaquette et du courant du faisceau d'ions. De plus, NISSIN EXCEED 2000AH est conçu pour être facilement intégré aux systèmes de contrôle des processus existants afin d'améliorer la performance des processus. Dans l'ensemble, Exceed 2000 AH offre une vaste gamme de fonctionnalités avancées pour garantir une précision et une fiabilité d'implantation ionique supérieures. Il fournit une solution efficace et rentable pour le contrôle serré des procédés, conduisant à des rendements améliorés et à une réduction des défauts des semi-conducteurs. Avec son contrôle automatisé, une précision accrue et une surveillance améliorée, EXCEED 2000AH est une solution idéale pour la fabrication de semi-conducteurs.
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