Occasion NISSIN Exceed 2000 #9223171 à vendre en France
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ID: 9223171
Taille de la plaquette: 3"-4"
Style Vintage: 1997
Medium current ion implanter, 3"-4"
PN: E95-3005
Energy range: 10-200 kV
(4) Cassette stages
(2) Loadlocks: Left and right
(2) Orienters: Auto-flat / Notch find
Ion source chamber
Beamline chamber
End station chamber
Pumps:
Dry pumps:
Make / Model / Class
ALCATEL / Drytel 34C / Load / Lock (DP-4), 450 L/sec
ALCATEL / Drytel 31 / Target chamber (DP-3), 450 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / F.E.M (DP-2), 1500 L/sec
KASHIYAMA / SD 90V III / S.A.M / lon source (DP-1), 1500 L/sec
Turbo pumps:
Make / Model / Class
SHIMADZU / TMP51G / Load / lock (TP 4 and 5), 55 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / F.E.M (TP-3), 800 L/sec
SHIMADZU / TMP1002 / S.A.M (TP-1 and 2), 800 L/sec
Cryo pumps:
Make / Model / Class
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Target chamber (CP-2), 4000 L/sec
CRYOTEC-12L / V208SC612GN / Collimator (CP-1), 4000 L/sec
DAIKIN U110CW Compressor
Process gas:
SiF4 (0.35L): 200 keV, Si+200 µA - 20 µA, SI++ 20 µA - 5 µA, 5E12
Ar (0.35L): 200 keV, 1000 µA, 5E12
High voltage range:
Extraction power supply: 0 keV - 70 keV
Acceleration power supply: 0 keV - 180 keV
Power supplies (Assembly):
Arc
Filament
SAM
ACC
DEC
Focus
TRIM-Q
FEM
Column
DC / AMP
Faraday suppression
ISO TX 160 kV
HV Stack 160 kV
Controllers (Assembly): BSM, FEM, P/C, SAM, W/C, WFC, V/C, I/C, O/F, TQ, T/C, I/G, T/P
Utilities:
Air: 100-150 PSI
N2: 40-150 PSI
Cooling water: 60-150 PSI
Temperature: 4°C - 21°C
Operating system: Windows XP
Power supply: 208 VAC, 3-Phase, 65 kVA
1997 vintage.
NISSIN Exceed 2000 est un implant ionique avancé et un moniteur conçu pour la fabrication de semi-conducteurs de haute performance. Cet équipement utilise une électronique de pointe, des capteurs et des systèmes de contrôle pour implanter précisément des ions dans une gamme de matériaux, ce qui permet d'obtenir une qualité constante, uniforme et répétable du produit. Le système offre une large gamme de paramètres d'implantation qui peuvent être facilement ajustés pour répondre à des exigences spécifiques de conception et de processus. La fonction principale de l'unité est d'effectuer l'implantation ionique. En utilisant une grande variété de paramètres d'implantation, tels que les espèces d'ions, la profondeur d'implantation, l'angle d'implantation, l'énergie du faisceau, et beaucoup d'autres paramètres, l'utilisateur est en mesure de personnaliser les implants pour correspondre à l'application souhaitée. La machine permet également de stocker plusieurs programmes personnalisables pour gagner du temps et minimiser le temps de configuration. Le moniteur est une composante intégrée de l'outil qui surveille l'état du processus et les paramètres actuels pendant le processus d'implantation. Ce moniteur est un élément essentiel pour s'assurer que les paramètres d'implantation corrects sont maintenus tout au long du processus. Le moniteur fournit également une rétroaction en temps réel sur les erreurs de dose et de tolérance pour améliorer le contrôle. L'actif est hautement fiable et reproductible, ce qui le rend idéal pour la production d'exigences de processus à haut volume et large gamme. Sa conception robuste et automatisée garantit que même les applications les plus difficiles peuvent être satisfaites avec une qualité et une répétabilité cohérentes. Plus de 2000 fournit aux utilisateurs un modèle d'implantation automatisé fiable et répétable avec plusieurs paramètres personnalisables. Il est conçu pour répondre aux exigences les plus exigeantes dans la fabrication de semi-conducteurs et est un choix idéal pour la production industrielle. Le moniteur intégré de l'équipement permet de s'assurer que les paramètres d'implantation sont maintenus de façon uniforme tout au long du processus afin d'améliorer la qualité du produit.
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