Occasion NISSIN Exceed 2000A #293775733 à vendre en France
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ID: 293775733
Style Vintage: 1999
Ion implanter
ULVAC Cryo-U8HSP Cryo pump
ULVAC Cryo-U12HSP Cryo pump
SHMADZU Turbo molecular pump
Chiller
Gases: Boron trifluoride, Arsine, Phosphine
1999 vintage.
NISSIN Exceed 2000A est un équipement d'implantation et de surveillance ionique de haute performance conçu pour fournir des processus d'implantation ionique précis et fiables pour un large éventail d'applications dans l'industrie des semi-conducteurs. Ce système avancé offre un ensemble complet de fonctionnalités et de capacités qui permettent aux utilisateurs d'obtenir des résultats d'implantation supérieurs avec un maximum d'efficacité et de précision. NISSIN EXCEED 2000 A est équipé d'une source d'ions polyvalente qui peut générer une variété d'espèces d'ions, y compris le bore, le phosphore, l'arsenic et d'autres dopants couramment utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. La source d'ions peut être facilement configurée pour répondre aux exigences spécifiques des différents processus d'implantation, permettant aux utilisateurs d'obtenir un contrôle précis des caractéristiques du faisceau d'ions telles que l'énergie, la densité de courant et la dose. L'un des points forts de Exceed 2000A est sa conception avancée de la ligne de faisceau, qui assure un transport optimal du faisceau d'ions et la focalisation tout au long du processus d'implantation. L'unité dispose d'une série de lentilles électrostatiques et magnétiques qui aident à minimiser la divergence du faisceau et à maintenir une qualité de faisceau élevée, ce qui entraîne une implantation uniforme sur toute la surface cible. De plus, la ligne de faisceau de la machine est équipée d'outils de diagnostic sophistiqués qui permettent une surveillance en temps réel des paramètres du faisceau, permettant aux utilisateurs d'identifier et de corriger rapidement les écarts par rapport aux conditions d'implantation souhaitées. En termes de contrôle d'implantation et d'automatisation, EXCEED 2000 A offre une interface utilisateur hautement intuitive qui offre un accès facile à une large gamme de paramètres de processus et de paramètres de fonctionnement. Le logiciel de l'outil permet aux utilisateurs de créer des recettes d'implantation personnalisées avec un contrôle précis de la profondeur d'implantation, de la distribution des doses et de l'angle d'implantation, garantissant des performances et un rendement optimaux du dispositif. En outre, les capacités d'automatisation de l'actif permettent une intégration homogène avec d'autres équipements de processus, tels que les aligneurs de masque et les manutentionnaires de plaquettes, afin de rationaliser le processus de fabrication global et d'améliorer le débit. Pour la surveillance et la caractérisation des processus, NISSIN Exceed 2000A dispose d'une gamme complète d'outils de métrologie in situ qui permettent aux utilisateurs d'évaluer et d'optimiser les résultats d'implantation en temps réel. Ces outils comprennent la spectrométrie de masse des ions secondaires (SIMS), la spectroscopie de rétrodiffusion de Rutherford (RBS) et les capacités de mesure de la résistance des feuilles, qui permettent aux utilisateurs d'évaluer la distribution des dopants, les profils de profondeur et les propriétés électriques des plaquettes implantées avec une grande précision et précision. En fournissant une rétroaction et une analyse détaillées des processus, ces outils de métrologie aident les utilisateurs à affiner les recettes d'implantation et à atteindre les caractéristiques de performance souhaitées. Dans l'ensemble, NISSIN EXCEED 2000 A représente un modèle d'implantation et de surveillance ionique de pointe qui combine technologie de pointe, contrôle de précision et fonctionnement automatisé pour fournir des résultats d'implantation supérieurs pour la fabrication de semi-conducteurs. Avec sa source d'ions polyvalente, sa conception avancée de la ligne de faisceau, son interface utilisateur intuitive et ses capacités complètes de surveillance des processus, Exceed 2000A offre une solution complète pour les processus d'implantation d'ions à haute performance dans un large éventail d'applications de semi-conducteurs.
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