Occasion NISSIN NH-20SR #293776330 à vendre en France

NISSIN NH-20SR est un implant et moniteur ionique haute performance conçu pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Il est capable d'implanter des dopants tels que le bore, le phosphore et l'arsenic ainsi que d'autres matériaux dans une plaquette de silicium avec un taux d'échantillon élevé et une excellente précision. NISSIN NH 20SR utilise le bombardement par faisceau d'ions pour entraîner les ions dopants dans la structure de réseau du matériau cible, permettant un contrôle précis de la quantité et de la distribution des éléments dopants dans le matériau. NH-20SR offre une large gamme d'implantations avec une gamme d'énergie d'implantation de 1 keV à 250 keV. Cela permet une flexibilité dans les couches de dopage des processus de jonction à basse température à ultra-peu profonde. Il fournit également des implantations de très haute précision avec une précision ± 1 % dans l'interpolation de comptage ionique et ± 3 % dans la distribution d'énergie ionique. Cela permet des invasions de précision même dans des géométries très serrées. NH 20SR est livré avec un système de surveillance complet qui comprend un contrôleur de balayage à haute vitesse en boucle fermée, qui enregistre la position courante, le taux de balayage et la surface totale de balayage pour la durée maximale de chaque cycle d'implantation. Il est ainsi plus facile de détecter les erreurs et de les corriger à temps. En outre, le système offre des fonctions facultatives de co-extraction et de déversement de poutres pour assurer un processus d'implantation plus lisse et uniforme. NISSIN NH-20SR dispose également d'une pré-accélération intégrée, plaçant les ions dans la plage d'énergie désirée avant qu'ils n'entrent dans le matériau cible. Ceci assure la précision et la répétabilité du dopage en couches précises. NISSIN NH 20SR est l'un des implantateurs et moniteurs d'ions les plus efficaces et les plus fiables du marché. Il est facile à utiliser et à entretenir et est livré avec une garantie de deux ans contre les défauts dans les matériaux et la fabrication. Pour ces raisons, c'est une excellente option pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.