Occasion SEN / SUMITOMO EATON NOVA NV-GSD-HE3 #9283246 à vendre en France
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Vendu
ID: 9283246
Taille de la plaquette: 12"
High energy implanter, 12"
(4) FOUP
Energy range: 10 KeV to 3750 KeV with RTEM (Real Time Energy Monitoring Capability)
UPS: MUF3051-BL
Mass analysis magnet and power supply
Inject flag faraday
Power supply: 3 kW 13.56 MHz
High voltage beacon
Does not include Hard Disk Drive (HDD)
Liner accelerator:
(12) High energy resonator cavities
(14) Quadrupole
Quadrupole lens and power supply
Final energy magnet and power supply
Resolving faraday
Continuous variable aperature
End station wafer handling:
In-air / In-vacuum high throughput wafer handling system
Sub-class 1, ULPA filtered wafer handling area
Automatic notch alignment capability with buffer cassette
Integrated "dummy wafer fill-in capability
Slot to slot wafer integrity
End station disk:
Two axis variable implant angle
(13) Wafers process disk with direct, 12"
End station dose control:
Real time patented dose control
End station robot: SEN MACOROB 300
End station option:
Valved RGA Port on end station resolving
Valved RGA Port on disk module
Faraday burn through sense
Facilities utilities:
Feed from bottom
Feed gas box exhaust from top
Facilities cable:
Remote cryo pump compressor cable
Remote disk chiller cable
Facilities:
Main PD assembly
Signal tower light assy
(4) Light CE
Fire safety kit:
Smoke detector
VESDA
60 Hz Standard
Gas box exhaust needs to feed from top
High voltage warning display - English
Gas box:
Gas 1 type Gas box gas type position Ar with HP
Gas 2 type Gas box gas type position BF3 with SDS
Gas 3 type Gas box gas type position BF3 with SDS
Gas 4 type Gas box gas type position PH3 with SDS
Gas 5 type Gas box gas type position PH3 with SDS
MFC2 Unit 8160 10 ccm
MFC3 Unit 8162 5 ccm
MFC4 Unit 8162 10 ccm
MFC5 Unit 8162 10 ccm
Remote rack:
SEN chiller
Heater exchange from FAC
Service PC X-terminal
Door Bypass Switch:
Source head: ELS
3-AXIS Extraction electrode:
Vacuum Cryopump CP2 BROOKS OB-8
Vacuum Cryopump CP3 BROOKS OB-10
Vacuum Cryopump CP7 BROOKS OB-250F
Vacuum Cryopump CP8 BROOKS OB-250F
Vacuum STP-2203C TP1
Vacuum STP-A803C TP4
Vacuum STP-A1303C TP5
Vacuum STP-A803C TP10
Vacuum STP-A1303C TP11
Vacuum STP-A803C TP12
Manuals included.
SEN/SUMITOMO EATON NOVA NV-GSD-HE3 est un implanteur d'ions haute énergie à haute performance avec technologie de moniteur. Ce dispositif est capable d'offrir une implantation contrôlée et efficace d'ions lourds, tels que l'arsenic, le gallium et l'indium, utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. Cet implant fournit également une impression ultra-précise avec commutation haute tension extrêmement rapide pour un contrôle d'implantation de précision. SEN NV-GSD-HE3 peut accepter un large éventail de matériaux, y compris les matériaux métalliques et inorganiques, ainsi que d'autres composés et substrats. Il permet une accélération ionique de haute précision et un contrôle du faisceau avec une large gamme de paramètres d'énergie et de dose. L'appareil dispose d'un design ergonomique pour une efficacité et une sécurité maximales. L'appareil est équipé d'un système de surveillance avancée des faisceaux, qui utilise des détecteurs de haute précision pour détecter la dérive et la contamination des faisceaux. Cette fonctionnalité permet d'assurer l'implantation de matériaux de la plus haute qualité. Cet appareil possède une source d'ions de haute précision, une optique de faisceau de haute précision, un transport de faisceau précis et une optique UV de haute précision. Il est construit à partir de matériaux de haute qualité pour la durabilité et la haute performance. Le dispositif permet un contrôle précis des quantités et des emplacements des ions libérés pour une implantation ionique très précise. Une des caractéristiques les plus uniques de SUMITOMO EATON NOVA NV GSD-HE3 est sa capacité à mesurer la dose du faisceau en temps réel directement. Cette technologie et cette capacité permettent aux utilisateurs d'ajuster leurs réglages comme s'ils modifiaient la sortie du courant du faisceau d'électrons de leur réticule. Le dispositif présente également un débit plus élevé, ce qui augmente la productivité. En outre, ce dispositif offre une régulation de rétroaction en boucle fermée qui permet aux utilisateurs de régler la vitesse de déplacement du faisceau avec une grande précision. Le dispositif peut également être utilisé avec une large gamme de générateurs de motifs pour différents types d'implants, tels que l'implantation en ligne, uniforme et de forme. Le dispositif est conçu pour un large éventail d'applications, y compris le traitement de plaquettes semi-conductrices, le recuit de matériau inorganique et la fabrication de films de substrat. Il peut également être utilisé pour fabriquer des films minces et pour contrôler l'implantation d'ions lourds et d'éléments échangeurs de charges. NV GSD-HE3 fournit une technologie d'implantation et des performances de pointe dans un ensemble sûr et facile à utiliser. Ce dispositif est idéal pour une variété d'applications d'implantation et de traitement et fournit des implantations de haute précision, fiables et reproductibles. Ce dispositif fiable et polyvalent offre des performances, une sécurité et une efficacité constantes dans l'implantation d'ions lourds et d'autres matériaux.
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