Occasion ULVAC IPZ-9001 #293675960 à vendre en France
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ID: 293675960
Taille de la plaquette: 6"
Style Vintage: 1995
Ion implanter, 6"
Monitor controller
(2) Helium compressors
Oscilloscope
Scan chamber
Endstation
Platen
(2) Red box chambers
Red box
Flow meter rack
Main controller, PD
Power rack
Rotary pump1
PMB001CM Rotary pump, D‑750DK Drive
(3) Door panels
Set of floor panel
Pallet 1:
(4) Lamp bulbs
(4) Lamp upper covers
(6) Ion gauges
(3) Ion gauge covers
Isolation tube
Divider
Acceleration tube
ADIXEN Pascal Rotary vane pump, frame
Pallet 2:
Oil trance
Manometer assembly
Pallet 3:
High‑voltage Stack
(2) Earth bars
Pallet 4:
Foot base plate
Docking bracket
(4) Covers
Pallet 5:
UL180P5G1222 High‑voltage power supply, base assembly
Exhaust duct assembly
Box
1995 vintage.
ULVAC IPZ-9001 est un implant et un moniteur ionique de pointe conçu pour des applications avancées de fabrication de semi-conducteurs. Cet instrument est un outil critique pour doper des matériaux semi-conducteurs avec des quantités précises d'impuretés pour permettre la création de circuits intégrés performants. Au cœur de IPZ-9001 se trouve son équipement d'implantation ionique, qui utilise un procédé sophistiqué pour introduire des ions dopants à la surface d'un substrat semi-conducteur. Ce processus consiste à générer un faisceau d'ions chargés positivement à haute énergie, à les accélérer à des vitesses élevées, puis à les implanter dans le matériau cible. Les ions pénètrent à la surface du substrat, altérant ses propriétés électriques et créant le profil de dopage désiré. Une des caractéristiques clés d'ULVAC IPZ-9001 est sa conception avancée de la ligne de faisceau, qui assure un contrôle précis des paramètres du faisceau d'ions. Le système est équipé d'un ensemble de lentilles électrostatiques et magnétiques qui permettent une focalisation et une direction précises du faisceau d'ions. Ce niveau de contrôle est essentiel pour atteindre les concentrations exactes de dopants et les profils de distribution requis pour les dispositifs semi-conducteurs de pointe. Un autre aspect important de IPZ-9001 est sa source d'ions à haute énergie, qui est capable de générer des ions avec des énergies allant de quelques keV à des centaines de keV. Cette large gamme d'énergies ioniques permet une flexibilité dans le dopage de différents types de matériaux et de structures semi-conducteurs. De plus, l'unité dispose d'une capacité polyvalente de sélection d'espèces d'ions, permettant l'utilisation de différents éléments dopants pour adapter les propriétés électriques du dispositif semi-conducteur. En termes de surveillance et de contrôle, ULVAC IPZ-9001 est équipé d'une série complète de diagnostics et de mécanismes de rétroaction. La machine dispose de capteurs avancés de courant de faisceau et de surveillance de l'énergie qui fournissent des données en temps réel sur les paramètres du faisceau d'ions. Ces informations sont essentielles pour assurer la stabilité et la cohérence du processus d'implantation ionique et pour détecter tout écart par rapport aux spécifications de dopage souhaitées. En outre, IPZ-9001 intègre des fonctionnalités avancées d'automatisation et de contrôle logiciel pour un fonctionnement efficace et l'optimisation des processus. L'outil est équipé d'interfaces utilisateur intuitives et d'outils logiciels qui permettent aux utilisateurs de programmer et d'exécuter facilement des recettes complexes d'implantation ionique. En outre, l'actif peut être intégré dans une plus grande ligne de fabrication de semi-conducteurs, offrant un échange de données sans faille et une connectivité de contrôle. Dans l'ensemble, ULVAC IPZ-9001 représente une solution de pointe pour l'implantation ionique dans la fabrication de semi-conducteurs. Sa conception avancée de la ligne de faisceau, sa source d'ions à haute énergie, ses capacités de surveillance et ses fonctions d'automatisation en font un outil indispensable pour atteindre les profils de dopage précis requis pour les dispositifs semi-conducteurs de prochaine génération. Avec ses hautes performances et sa polyvalence, IPZ-9001 est prêt à stimuler l'innovation et à permettre le développement de technologies semi-conductrices avancées.
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