Occasion VARIAN 160XP #9242139 à vendre en France

VARIAN 160XP est un implant et un moniteur ionique conçu pour être utilisé dans des matériaux programmables en couches minces. Ce dispositif est conçu pour injecter des atomes de faible énergie à la surface d'un matériau échantillon, ce qui permet alors une répartition uniforme des atomes dans l'échantillon. Cela permet une imagerie à plus haute résolution du matériau de l'échantillon et un contrôle plus précis du dopage du matériau que les procédés de dopage manuel. VARIAN 160 XP est équipé de réservoirs de stockage de gaz, de systèmes à vide et d'une source d'ions haute tension pour une commande précise et précise du faisceau d'ions. Ce dispositif dispose également d'un système robuste de collecte et d'analyse de données pour permettre une meilleure compréhension de l'échantillon implanté. Le dispositif est conçu en fonction du contrôle de l'utilisateur, ce qui lui permet de contrôler l'énergie des ions incidents, la direction de leur bombardement, la taille et la forme du faisceau, ainsi que la densité des atomes implantés dans l'échantillon. Ce niveau de contrôle permet de mieux comprendre les effets des différentes techniques d'implantation d'ions sur le matériau de l'échantillon. 160XP dispose également d'un écran LCD 12 "de large qui permet une vue complète de l'échantillon, permettant une meilleure analyse du processus d'implantation. Cet appareil permet également à l'utilisateur de configurer les paramètres d'implantation pour obtenir des résultats ciblés. En outre, le dispositif est conçu en tenant compte de la sécurité, avec un interrupteur d'arrêt d'urgence basse tension, une alarme sonore et des réservoirs de stockage de gaz avec soupapes de surpression haute pression. Au total, 160 XP est un excellent appareil pour les matériaux programmables en couches minces. Il est équipé d'une source d'ions et de systèmes robustes de collecte et d'analyse de données, ainsi que de fonctions de contrôle et de sécurité qui en font un excellent choix pour le contrôle et l'implantation précis et précis du faisceau d'ions.